日本からのISSCC2013発表�b文は30�Pで2位に復��
半導���v路のオリンピックと言われるISSCC。2月に�盜颪燃�かれるIEEE主��International Solid-State Circuits Conference 2013では、日本から発表される�b文数は�盜颪�73�Pに�瓦靴�30�Pと��2位に返り咲いた(図1)。ISSCC 2012では�f国からの�b文�P数が2位だったため、今�vは巻き返したことになる。
図1 ISSCC2013の発表�P数は日本が2位に返り咲き 出�Z：IEEE ISSCC
ISSCCは 2013�Qに60周�Qを迎える。当時の�盜颪療纏凖典こ慍颪�IEEEではなく、IREであった。最初のISSCCは、「Conference on Transistor Circuits」と�}んでいたという。開��地は東�L岸のフィラデルフィアで、1980�Q代までフィラデルフィアで開��していた。シリコンバレーが発�tすると共に、開��の場所はサンフランシスコへ�，辰拭�
60�Q間ずっと成長し��けた�噞は、半導��以外にはないだろう。��に半導��トランジスタの誕�擇�ら1990�Q代中ごろまでは�Q率平均20%という驚異的な高い�Pび率を��した。それ以�Tでも現在までに�Q率平均6%で成長している。��来ほどの極度に高い成長率ではないものの、��実な成長分野といえそうだ。
ISSCCはどんどん変わっているが、変わらないものもある。今�Q変わったものとして、日本の�b文が2位に復��したことの他に、�f国・��湾からの発表�b文がメモリ�k辺倒ではなく、アナログやロジックなどへ広がっていること、ISSCCの参加�vが2001�QのITバブル期をピークに��少��向にあること、が挙げられる。
変わらないことは、常にイノベーションやエボリューション(進化)が発表されていることである。高性��、高機��、低消�J電��の�妓�は��く変わらない。そのためのテクノロジーは変わってきているが�jきな�妓�は変わらない。例えばアナログ�v路では、かつてはアンプやフィルタ、オシレータ、A-D/D-Aコンバータなどが�Hかったが、最�Zは、パワーマネジメントやエネルギーハーベスティング、ワイヤレス給電などパワー分野の発表が�\えてきている。無線RFアンプのパワー�v路に、包絡線（エンベロープ）を�W��するパワーアンプの発表が東��からあるが、これも消�J電��を下げようという動きの�k環だ。
ISSCC 2013����では昨�Qと比べ、通信�\術が�Pびている。RF�靆腓郎鱆Qの10%から12%へ、ワイヤレス通信�靆腓�9%から10%へ、ワイヤライン通信は10%から12%へと、いずれも�Pびている(図2)。無線�\術では低消�J電��化とミリ�S�\術が��発だ。�~線では携帯電�Bの基地局向けの数��Gbps〜100Gbpsという��高�]のトランシーバ�\術が�R�`されている。シリコンフォトニクスの出番が来たといえる。
図2 通信分野の�b文�\える 出�Z：IEEE ISSCC
こういった変化の中で、��に�R�`されるのは、��湾・�f国の脱メモリートレンドだろう。サムスンは、今やDRAMにもフラッシュにもさほど投�@をしなくなったが、アプリケーションプロセッサ向けのファウンドリビジネスにはアグレッシブに投�@している。��湾のTSMCはロジックのファウンドリで�jきく�W益を�屬欧討い�。�k��、ファブレスのメディアテックやリアルテック、ノバテック、Mスターなどトップ20社に入るロジック半導��メーカーは�Hい。��湾には200社以�屬離侫．屮譽紅焼���メーカーがあると言われている。
図3 アジア勢は��メモリに��を入れる 出�Z：IEEE ISSCC
ISSCC 2013の発表�b文の分野(図3)では、日本が�Pびているのはメモリで、��に新しい不ｧ発性メモリの発表が�Hい。しかし、高性�Ε妊献織�、アナログ、RF、無線通信などは圧倒的に��湾、�f国、その他のアジア勢が�咾�。日本はこういった分野をしっかり抑えておかなければ、これからの無線�\術、IOT（Internet of Things）をリードできなくなる。これらの�\術を使う�x場は、スマートホーム、スマートグリッド、ヘルスケア、�O動�Zエレクトロニクスなど、あらゆる成長分野にあるからだ。この分野で成長することが今後の成長につながるだろう。
