国家プロジェクトで唯�kともいえる成功例は田中��(hu━)によると「アモーファスシリコン薄膜�陵枦澱咼廛蹈献Д�ト」だそうだ。1980�Qから1990�Qの10�Q間��けたプロジェクトだ。当時、�Mが����していた日経エレクトロニクスでも1982�Qにアモーファスシリコン��集を組んだ。アモーファスシリコン薄膜が�陵枦澱咾世韻任呂覆�、TFT（薄膜トランジスタ）や、撮�義濃劼悗留���、そして感光ドラムへの応��など、さまざまな応��が考えられ、�噞としても広がっていくに違いないとの��集�陲了廚い�ら、�D材を始めた。田中��(hu━)へのインタビューは言うまでもなく、元��洋電機社長の桑野��(hu━)をはじめアモーファスシリコンを�}�Xけていた�噞�cから�j(lu┛)学にまでの人たちに及んだ。田中��(hu━)の�Bを聞いてかつてのアモーファスシリコン薄膜の�\術を思いだした。

アモーファスの�陵枦澱咾賄伝R��電源として定��したが、�噞的なインパクトはなんといっても�]晶ディスプレイ��TFTに使われたことが�j(lu┛)きかった。残念ながら�陵枦澱咾箸靴討��T晶�Uシリコンに負けた。効率が小�C積で5〜6%どまりと小さく、�T晶�Uの15〜20%には遠く及ばなかったためだ。効率だけを�{求するのならシリコンではなくGaAs�Uの�陵枦澱咾�25%はあり、ﾅ星にすでに使われ宇宙で��躍している。�H�T晶・単�T晶シリコンの10〜15%という数�C(j┤)は日本の狭い住�瓩硫虻�に��くにはちょうど良いサイズのパネルになった。アモーファスシリコンなら半分以下の効率だから同じ電��を発電するためには2倍以�屬旅�さの屋根が��要になる。日本の住�瓩任呂海旅�さは到�f�pけ入れられない。�T局、アモーファスシリコン�陵枦澱咾賄伝Rにとどまった。

最�Z�D材してみるとアモーファスシリコンでも10%�Zくまで効率は�屬�っているという。再び、発電��としてアモーファス�陵枦澱咾�見直されてきたのは、このためだ。アプライドマテリアルズがこの���]����に��を入れていることはよく��(m┬ng)られている。

アモーファスシリコン薄膜で最も�j(lu┛)��な要素は�C均�k性である。20�Q以���iに5%という効率を�u(p┴ng)た薄膜�陵枦澱咾僚j(lu┛)きさはわずか2〜3mm角で、10cm角にすると効率はとたんに落ち2%��度しかなかった。最�Zは1m四��(sh┫)の�j(lu┛)きさでも7〜8%くらいあるという。アモーファスシリコンの�C均�k性�\術は、�]晶ディスプレイ�\術によるところが�j(lu┛)きい。今から20�Q以���iの1980�Q代中ごろでも10インチのTFT�]晶ディスプレイの試作例はあった。しかし量��できるほどの均�k性は��しく、10インチ以�屬僚j(lu┛)型TFT�]晶ディスプレイの量��は無理だろうとまで言われていた。

今はそのような�Bはうっそーと思えるくらい50インチ、60インチの�]晶ディスプレイが町の電気屋で売られている。アモーファスシリコン薄膜の均�k性は格段に向�屬靴拭Ｇ�膜�陵枦澱咾僚j(lu┛)本命は、色素�\感型�陵枦澱咾�CIGSなどの4元�U元素を使う薄膜・厚膜�陵枦澱咾任呂覆ぁ�アモーファスシリコンである。効率だけを見るなら確かに色素�\感型は11%��にも行くだろう。しかし、均�k性を改良するという未��(m┬ng)の世�cにこれから突入することになる。すでに�}�Xけているメーカーに�C均�k性の��問をすると、やはり最�j(lu┛)の�M問だと答える。

色素�\感型�陵枦澱咾�CIGSなどの4元�U元素の�陵枦澱咾鮨覆瓩襯瓠璽�ーをよく見ると、�Mしさをよく��(m┬ng)っている半導��企業や�]晶ディスプレイメーカーはそこにいない。石��(t┤ng)化学メーカーであったり、�O動�Zメーカーであったり、均�k性の�Mしさをまだ認識していないメーカーが�Hい。

日本の半導��メーカーはGaAsというわずか2元の半導��デバイス、3元、4元�U半導��のレーザーなどを�}�Xけてきたが、そのチップ�C積は極めて小さい。0.5mm角とか0.25mm角といった�j(lu┛)�C積均�k性を問��にしないデバイスが商��化されてきた。化合�馮焼���のエンジニアは均�k性よく3元�U、4元�U半導��デバイスを作ることの�Mしさをいやというほど��(m┬ng)り尽くしている。�陵枦澱咾任�100cm平��(sh┫)というとてつもない�j(lu┛)きさでの均�k性が求められるのである。しかも3元、4元の元素を均�kなストイキオメトリで均�kな�C積に作り込む。GaとAsの2元でさえ、�^気圧が異なり、元素の�_さが違うため、1��1のストイキオメトリを均�kに作ることが�Mしかった。分子線エピタキシー（MBE）やMOCVDなど�U(ku┛)御よく微��に作り込める�\術を使ってようやく小�C積で均�kな薄膜を作ることができた。

3元、4元の元素を使い、しかもその均�k性を求めるという未��(m┬ng)の世�cを1社や2社で挑戦するには膨�j(lu┛)なR&D投�@と設��投�@が��要となる。企業間の垣根を��えたオープンディスカッションは成功するための�_要なカギとなる。しかし、石��(t┤ng)化学業�c、�O動�Z業�cは企業の枠を��えエンジニア同士が�O�y(t┓ng)にオープンディスカッションを出来る����ではない。

印刷で作れるという単純な理�y(t┓ng)で日経ビジネスをはじめとするさまざまな��(r┫n)�\術�Uメディアが色素�\感型�陵枦澱咾鮟j(lu┛)本命と�eち�屬欧襪�、�Mは��してそうは思わない。アモーファスシリコンこそ薄膜�陵枦澱咾僚j(lu┛)本命だと思う。1元元素の単純構�]でしかも均�k性を求めて10�Q以�屬睥名�してきた実績を�Aうからだ。シンプルイズベストである。