新しい形のコラボレーションを模索するアルバニーのナノテクセンター
�盜颯縫紂璽茵璽��xから300kmほど�`れた���陲猟�、ニューヨーク�Ε▲襯丱法爾砲△襯縫紂璽茵璽��ξ��j学ナノテクセンターCNSEの実��が��らかになった。これは、東�B新�Uで開��された、国際半導���攵��\術シンポジウムISSM（International Symposium on Semiconductor Manufacturing）2010の中で、同�jの平����教�bが基調講演で述べたもの。
図1 アルバニーナノテクセンターの外��
ニューヨーク�ξ��j学アルバニー�鬚�半導��分野で�~�@なのはCNSE (College of Nanoscale Science & Engineering)と�}ばれる学�陲任△�。ここが半導���噞の世�c中の企業やコンソシアムと共同研�|している。かつては半導���噞をマイクロエレクトロニクスと�}んだが、微細化�∨，�ナノメーターレベルにまで縮小してきたためナノエレクトロニクスという言い�気鬚靴討い�。ナノエレクトロニクス業�cとは半導��業�cのことを指す。CNSEでは、半導��業�cと協��し�\術的にも経済的にも��争��のある環境を作ろうというミッションを�eつ。
かつては、研�|→開発→�攵�、という図式の中で企業は�j学にとって�@金を提供してくれる顧客であった。今はこの図式を�Vめ、企業をパートナーとして見、長期的な研�|、中期的な開発、�]期的な�攵癉ち�屬押△箸いΔ垢戮討離侫А璽困謀呂辰峠j学が企業と協��するという、いわばR&Dのパラダイムシフトが��きていると考えている。
図2 研�|開発のパラダイムシフト
ニューヨーク�Δ呂發舛蹐鵯@金を提供するが、その狙いは�O�E��としての��争に�Mち、雇��を創出することであるという。�劜協同の例としては、2005�Q9月にアプライドマテリアルズ（AMAT）とIBM、CNSEとの共同センターに3億ドル、INVENT（�L外の企業や�j学との共同のナノリソグラフィコンソーシアム）に7�Q間で6億ドル、R&Dと���]に15億ドルのパッケージなど、�噞�cを中心とした�@金�耀uに加え、SEMATECHやビステック社の誘致にも成功した。
図3 2005�Qからこれまでの主なプロジェクト
CNSEは��にIBMと共同でいろいろなプロジェクトを�eっているが、共通することは300mmウェーハの統合プロセスの研�|開発である。例えば、CNSEとSEMATECHプロジェクトには、IBMのほかインテル、UMC、サムスン、グローバルファウンドリーズも加わり、CNSEとIBMのプログラムにはグローバルファウンドリーズ、東��、チャータード、サムスン、ルネサス、フリースケールが参加している。CNSE����プログラムは、AMAT、東�Bエレクトロン、ASML、ラムリサーチ、KLA、ビステック、ノベラス、日立ハイテク、��原��作所、�j日本スクリーン���]からなる。
300mmウェーハプロセスラインでは、最新の����が150��以�崟���されている。しかし、2011�Qには工場をもう�k棟建築する予定になっており、拡張すると後工��の開発ラインを含め、250��以�屬���模になる��画である。現在のウェーハプロセスラインの�攵��ξ�は、25統合WSD（wafers starts per day）であり、現実には22WSDだとしている。この25統合WSDとは、155工��17��マスクの�Y��プロセスのウェーハを1日25��投入し25��出��するという処理�ξ�を表す指数である。平�儷笈bは、日本的な言い�気任�2000〜3000��/月��度に相当するのではないかと述べている。
このラインでは90nmから22nmまでサポートできるとしている。リソグラフィ����は、ASMLの1200から1700i、1950iと、線幅/線間隔（L/S) 80nm、50nm、35nmの����を揃えている。これらのArFリソグラフィ����に加え、さらに微細加工が可�Δ�EUV����（L/S=28nm）、電子ビーム露光機(L/S=10nm)も�eつため、最先端の半導��開発が可�Δ任△襦�
これまでの�o表できない半導���噞のパートナーを含め、250社・研�|機関を��すパートナーと協��関係にある。さらに�j学間での共同プログラムも進めている。例えば、INDEX (Institute for Nanoelectronics Discovery and Exploration)プログラムには、カリフォルニア工科�j学、コロンビア�j学、ハーバード�j学、MIT、パデュー�j学など��10�鬚閥���している。
