図1　LETIの開発拠点のあるMINATECキャンパス

LETI Dayの�d待講演の講師として日本の�噞�\術総合研�|所のナノ電子デバイス研�|センターの金�冑咀}センター長が講演し、LETIのCEOであるLaurent Malier��はLETI����のミッションについて述べた。�旟研はトランジスタレベルのデバイス・プロセスに集中し、LETIはトランジスタを集積したLSIレベルの応��研�|することに集中しており、両社の提携は互いを��完しあいウィン-ウィンの関係になるとしている。

TIAは�旟研と����・材料研�|機構（NIMS）、筑�S�j学という3�vでナノテクノロジを研�|するための共同組�Eである。これまで期限��きで��動していきたSelete（半導��先端テクノロジーズ）のクリーンルームを�擇�し�M�Rする。ここから「�噞�覦茲鮑遒蟒个靴燭ぁ廚閥�����は�T気込む。ArF�]浸リソグラフィとEUVリソグラフィを�△┐織�リーンルームがあり、300mmウェーハを扱えるプロセス設�△發△襦Ｎ磴┐�45nmCMOSベースプロセスを�eっているため試作依頼に�官�するR&Dファウンドリとしての役割も果たす。

動作電圧0.5V以下のCMOSトランジスタやLSI、メモリーなどプロセス�\術を中心の開発を進めている。ウェーハ同士の張り合わせや3DウェーハIC、SiCプロセスなど、これからのシリコンプロセス�\術を開発する。同時にカーボンナノチューブ（CNT）や環境に配慮した材料を使うグリーンプロセス、低消�J電��・再�擴��Ε┘優襯�ー・エネルギーハーベスティングなどのグリーンデバイスなどについても研�|する。TIAは国内企業だけではなく�L外の企業や研�|所とも共同研�|、設�△龍ζ云W��も推進していくとする。

�k�気�LETIは、�噞�cに�\術を�‥召垢襪海箸鬟潺奪轡腑鵑箸靴瞳任欧討い襪燭瓠�応��研�|に集中する。合��1600�@の研�|�v（うちプロパー1300�@）がフランス・グルノーブルにあるMINATECキャンパスに集まっている。�噞�cとの共同研�|では�`的をしっかり定め、サードパーティに�瓦靴討魯�ープンイノベーション、企業との共同研�|に関しては秘密保�eを基本とする。企業パートナーの�W益になるようなIPのルールを定めているとしている。

図2　LETIがカバーするこれからの応��研�|

現在�W��可�Δ淵瀬屮襯僖拭璽縫鵐阿�EUVリソグラフィ、3D集積化�\術を使い低消�J電��のLSIを開発するが、�旟研との違いはプロセス・デバイス�\術をさらに�{及するのではなく、アプリケーションに応じたLSIを開発することにある。このため、プログラマブルロジックチップに��要な組み込みソフトウエアを開発したり、マルチコア・マルチスレッドなどの並�`処理コンピュータ�\術やワイヤレス通信�\術を開発したりする。

例えば、ノキアと共同でNFC（�Z�{�`無線）とワイヤレス給電�\術の組み合わせにより最�j112Mbpsのデータ転送レートを使い、1Gビットメモリーをバッテリなしでアクセスする�\術を開発している。医������・画�欺萢���チップも開発中で、がんを検出し�E��に�擇�す応��研�|も行っている。スマートグリッドのシステムに向けたチップの開発、ソーラーシステムの�U御、電��潮流の�U御などに向けた半導��チップの研�|も始めている。

日本の�噞�cと長期的で�嗄�なパートナーシップを�Tび�M��していきたいとMalier��はコミットしている。