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グローバルファウンドリーズ、世c中の拠点と28/22nmなど先端\術で差別化

櫂哀蹇璽丱襯侫.Ε鵐疋蝓璽此GlobalFoundries)社の来に向けた戦Sが次に確になってきた。昨Qの4月にAMDからスピンオフしてファウンドリ企業として独立、その後シンガポールのチャータードセミコンダクターもA収して、プロセスのポートフォリオを広げた。2010Q1月に統合が完了して5カ月になろうとしている。

グローバルファウンドリーズのグロースCEO

グローバルファウンドリーズのグロースCEO


このほど来日したグローバルファウンドリーズのダグラス・グロース(Douglas Grose)CEOは、盜顱▲疋ぅ帖▲轡鵐ポールを攵喤点とする文C通りグローバルな3極Uを組み地学的なリスクの少なさを~Wな点としながら、並行して複数の先端\術を開発し、さらに高いn働率を維eしながらシンガポールの65nm、さらには45nm\術をドイツのドレスデンにスムースに‥召靴討いことを2010Qの戦Sに据えた。

同社はチャータードセミも傘下に収めたことから、45nm/40nmの先端\術だけではなく、根咾ひ要のある0.13μm、0.35μmのプロセスの}も緩めない。これらのラフパターンのは高耐圧デバイス、不ァ発性メモリー、RFv路などのオプションがあり、200mmウェーハ業としてQ間220Cの模に達している。ファブレスとIDMを合わせて150社もの顧客を耀uしている。

先端の300mmファブには、ドイツドレスデンのFab 1、シンガポールのFab 7、ニューヨークΔFab 8がある。Fab 1とFab 7はそれぞれ月6万、5万を量している。ニューヨークのFab 8は現在、工場を建設中で20%の建颪完成した。2012Qには28nmプロセスで攵を始め、2013Qには3極合でQ160万に達するという。


最先端の300mmファブは世c3極U

最先端の300mmファブは世c3極U


32nmからは、High-kメタルゲートのプロセスを使うが、ゲートファースト}法を使うとしている。現在の画では、32nmプロセスはSOI CMOSでしか使わないが、顧客が1社しかなく、Hくの顧客は28nmへのシフトを要望しているため、グローバルファウンドリーズは32nmのCMOSバルクではなく、28nmのCMOSバルクプロセスへRしている。


テクノロジーと高加価値ソリューション


今後のロードマップ

今後のロードマップ


その先はどうか。22〜20nmはおそらく、]浸リソグラフィを使いダブルパターニング\術でいけると見ている。現在、EUVのリソグラフィも検討しているが、とレジスト、マスクなどについて研|開発チームは深く検討しているという。マスクについてはドレスデンにあるマスクメーカーと共同で研|開発しており、すでに60以屬離泪好を出荷してきたという。総合的な感触として、EUVが使われるようになるのは20nm以下からだろうと見ている。

こういった先端\術だけではない。グローバルファウンドリーズは「開発期間(time to market)の]さもビジネスモデルとして_している。かつて45nmの量癉ち屬欧任合ファウンドリと比べ、わずか3四半期でゼロから2万5000/月まで立ち屬押他社を圧倒したと、x場調h会社のInternational Business Strategies社がしている。これは高集積のAMDのx86UCPUを立ち屬欧深太咾ら来るという。

(2010/05/27)
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