今�vのAmkorの進出は、今�Qの7月31日にOSAT最�j(lu┛)�}の��湾ASEと福�K県��九���xが�x�~地約16ヘクタールを34億��で�D�u(p┴ng)する仮契約を締�Tしたことに��く、日本でのOSATの��性化になる。Amkorは、日本初の研�|開発拠点を2025�Q4月に福�K�xに設けるとした。拠点は�x内のビルに��き、その広さは1063平��(sh━)で、その半分をクリーンルームとする。Amkorの新拠点では、電���U(ku┛)御につかうパワーモジュール（複合����）やイメージセンサーといった、�O動�Z向け半導��の後工��の先端�\術や量���\術、材料に関する基礎開発などを�}�Xける、と11月29日の日本経済新聞が報じた。

ASEはすでに2004�QにNEC�儼噌�場を�A収し�}に入れ、�攵�を��けている。7月��のASEジャパンが契約の主��であり、ASEは日本で�攵�を広げていくことが窺える。Amkorは�j(lu┛)分県の仲谷マイクロデバイスが東��、Amkorの�@本を入れてJデバイスとなり、12�Qには富士通セミコンダクター、13�Qにルネサスエレクトロニクスからも後工��拠点を�A収し、15�QにAmkorの拠点となった。共に後工��の�攵喤点を日本に�eっているが、先端パッケージ研�|開発拠点は�eっていなかったため、その材料開発に��(d┛ng)い日本企業とのコラボを求めて今�vの開発拠点となった。

先端パッケージはAI以外にも、高性�Ε灰鵐團紂璽謄�ング�\術に�L(f┘ng)かせないため、SoCチップ＋周辺メモリ構成はNvidiaのAIチップだけではなく、AppleのM1~4プロセッサの実�△砲眛瑛佑淵僖奪院璽献鵐阿鮹�いている。ただし、M1〜4プロセッサはHBMではなくDDR DRAMではあるが、チップ+周辺メモリ構成は広がりつつある。

先端パッケージは、後工��とは違い、TSV�\術や2.5D/3D-IC�\術をふんだんに使い、��高集積なICを?y┐n)��]する。モノリシックでの集積度よりも高い集積度のICを低コストで実現する�\術として�R�`されている（詳細は、SPIフォーラム「チップレット、先端パッケージ�\術とその未来(II)」を参照）。

�i工��の���]���������j(lu┛)�}、Applied Materialsは、「シンガポール科学�\術研�|庁、シンガポール国立�j(lu┛)学、南洋理工�j(lu┛)学などと研�|開発で協業することで覚書を交わした。レゾナック・ホールディングス、Intel、TSMCなどの��(chu┐ng)�陲肇轡鵐�ポールで会合し、協業の��(sh┫)法を討議した」、と27日の日経が報じた。シンガポールでは先端パッケージのスタートアップ、Silicon Box社が操業し始めており、�i工��だけではなく先端パッケージのインフラが�Dえつつある。

半導��チップをプラスチック�`脂で封�Vする、モールディング����のアピックヤマダは、先端ロジックからメモリ、そしてSiCパワー半導��の�`脂封�Vにも使える新型モールド����「MS-R」を発売した。この����は、��来のトランスファモールドだけではなく先端パッケージ��のコンプレッションモールドや、ハイブリッドボンディング、パワー半導��のシンタリング接合にも使えるフレキシブルなマシンとなっている（図1）。

図1　アピックヤマダのトランスファー成型とコンプレッション成型が可�Δ淵癲璽襯�����　出�Z：アピックヤマダ

トランスファー成型とコンプレッション成型のプロセスの変��(g┛u)などを1��の����（プラットフォーム）で�官�する。�`脂流動シミュレーション解析によって金型を設��しており、高剛性金型ベースユニットと高�@度高圧クランプ金型ユニットを新開発した。先端パッケージでのチップレットの積層にも狭小なギャップにボイドレスで均�kに�`脂を充填させることができるという。