Samsungが玻賞に染瞥攣の倡券凋爬を肋ける鼠蘋が罷蹋するもの
躥柜Samsungが玻賞に染瞥攣倡券凋爬を糠肋すると、5奉13泣の泣塑沸貉糠使が鼠じた。300帛邊畝を抨じ、玻賞輝柒に黎眉染瞥攣デバイスの活侯ラインを臘灑するという。このところ、Samsungが泣塑に染瞥攣供眷を積つという苯は叫てきており、海攙の泣沸鼠蘋の靠罷は部か。Samsungが泣塑で倡券凋爬を肋けるメリットは部か。
Samsungは玻賞輝尼斧惰にサムスン泣塑甫墊疥をすでに積っているが、この甫墊疥はスマ〖トフォンの嬸墑拇茫に灑えるための凋爬であり、染瞥攣甫墊疥ではない。スマホのプリント攙烯答饒には泣塑瀾の答饒や嬸墑が驢眶蝗われており、それらの黎眉嬸墑を拇茫するための舔充を積つ。
海攙、染瞥攣凋爬ということで、謄弄は部かを雇弧してみよう。メモリかファウンドリか、という爬では警なくともメモリではなかろう。メモリはDRAM、NANDフラッシュともトップメ〖カ〖であり、エンジニアの警ない泣塑でメモリ供眷を籠やすことは雇えにくい。
ではファウンドリか、と咐えばこれも悸は雇えにくい。Samsungのファウンドリは黎眉プロセスにフォ〖カスしており、90nm笆懼のプロセスには鏈く督蹋を積っていない。TSMCは2nm、3nmプロセスを倡券していながらも、65nm、90nm、120nmなどのアナログやRF、パワ〖などのスペシャリティプロセスも積っていることとは灤救弄だ。しかし、5nm笆布の腮嘿なプロセスノ〖ドでは、SamsungはTSMCをライバル渾している。
哭1 氟肋面のJASMの閥塑供眷 叫諾¨Private communication
辦數、ライバルのTSMCはデンソ〖およびソニ〖と鼎票で閥塑に糠供眷を氟肋面である∈哭1∷。しかし、プロセスノ〖ドは12/16nmと22nm/28nmであり、5nmや3nmとは禱窖が佰なる。TSMCの閥塑恕客のJASMは極瓢賈羹けのチップ欄緩が謄弄であるが、Samsungがこれと票じような供眷を侯る罷蹋がない。
ではSamsungの罷哭は部か。恫らく2.5D/3DのICを倡券する凋爬としての舔充であろう。TSMCは泣塑蠟紹の投米とは簇犯なく極蝸でつくばに3D-IC倡券センタ〖を肋彌した。TSMCやSamsung、Intelは、悸狠のプロセス腮嘿潰恕が15nm鎳刨であっても5nmや3nmプロセスと疚している。5nmや3nmに陵碰する拉墻や久銳排蝸を評るため、3肌傅の惟攣弄なレイアウトを額蝗する。このエリアスケ〖リング∈侍嘆DTCO: Design Technology Co-Optimization∷で3肌傅のFinFET菇隴やビアホ〖ル、コンタクトホ〖ルなどの3肌傅步を渴めてきたが、これも2028鉗くらいまでしか魯かない、という斧數が叫てきている。
IC懼に礁姥するトランジスタ眶は、18×24カ奉ごとに擒籠するというム〖アの恕摟は、システムコストが布がる嘎り、悸は海稿も魯く。ではどうやってトランジスタ眶を籠やしていくか。その豺が、2.5D/3D-ICである。TSMCは票じプロセスノ〖ドなら、2.5D/3D-ICであれば礁姥刨は6×10擒懼がるというデ〖タを績してきた。
TSMCの秦面を納いかけるSamsungが泣塑に染瞥攣凋爬を肋けるなら、やはり2.5D/3D-ICの倡券になると斧ることは極臉であろう。3nmの肌に2nmが倡券されたとしても、その稿のGAAの陵輸妨及のロジックとなるCFETやナノシ〖トなどに澀妥な糠亨瘟倡券やパッケ〖ジングの亨瘟倡券は泣塑が動い。となると泣塑に甫墊倡券凋爬を彌き、泣塑の亨瘟メ〖カ〖とコラボレ〖ションすることは妄にかなっている。
2.5D/3D-IC倡券では、Cuピラ〖と染拍ボ〖ルで腮嘿な儡魯を乖う。インタ〖ポ〖ザのような浩芹俐霖のウェ〖ハやブリッジチップとの儡魯や、チップ-ウェ〖ハ粗、ウェ〖ハ-ウェ〖ハ粗などの眉灰儡魯ではバラつきの啼瑪や、染拍ボ〖ルのエレクトロマイグレ〖ションの啼瑪、3D步による庶錢の啼瑪など豺瘋すべき啼瑪が驢い。潑に慨完拉懼の啼瑪が懷姥している。泣塑の亨瘟メ〖カ〖とじっくり的俠しながら艱り寥んでいかなければ豺瘋は豈しい。しかも、亨瘟といっても燎亨とコンパウンドとも般う。このためSamsungは泣塑に丸なければサプライチェ〖ンにまで僻み哈むことができなくなる。
泣沸糠使には、≈サムスンは海攙、惟攣菇隴の染瞥攣デバイスの寥み惟てˇ活侯ラインを臘灑する。光い禱窖蝸を積つ泣廢の燎亨ˇ劉彌メ〖カ〖との鼎票甫墊によって欄緩禱窖を光める∽と鼠じられており、泣沸鼠蘋が賴しければ、Samsungの泣塑の凋爬は黎眉パッケ〖ジセンタ〖弄な甫墊卉肋になるであろう。
