図1　�j陽日�┐枠焼�����の���zガスやMOCVD����などで定�hがある　出�Z：�j陽日��

化合�馮焼���や材料、���]����を�}�Xけている�j陽日�┐�Kr（クリプトン）やXe（キセノン）などの希ガスの�攵盋を倍�\させると発表した。KrはKrFリソグラフィに使われ、Xeは照��ランプにでも使われているが、共に�W定した不��性ガスであり、�]�S長レーザーの材料にもなる。Neも同じ希ガスだが、希ガスは��鉄の�攵妌��の中で�擇泙譴詆����顱���鉄のJFEスチールと�j陽日�┐旅臺朮饉劼某祁燭龍�気分�`����を2023�Q��に設��する。その設�△��攵��ξ�はKrが�Q��260万リットル、Xeは同21万リットルで、24�Q4月に�n働する予定。投�@�Yは未�o表だが、経�愱の���\金を����する。希ガスは半導���攵�サプライチェーンの工��に�kつにあり、半導��供給不�Bの解消にも役立つ。

UBE（旧宇�雍従�）は、半導����浄に使う高純度硝�┐旅�場を�\設すると発表した。�攵��ξ�を現�Xより5割�\やし、2024�Qはじめの試運転を�`指す。高純度硝�┐枠焼���の��浄工��で使��し、同社の国内シェアは約5割という。TSMCの�y本工場新設をはじめ、日本での�攵��ξ�が�\えるという��要を見込んでいる。27�Q度までに�攵��ξ�を21�Q度の2倍に�\やす�`�Yを掲げ、20�Q度にも�攵��ξ�を�\�咾靴討い襦△汎�経は報じている。

24�Qごろには建設中の�H数の半導��工場が�n働し始めるため、�]期的には供給�埔蠅砲呂覆襪�、半導���噞はこれまでもシリコンサイクルを繰り返しながら成長してきた。シリコンサイクルでは、�fに来ても�i�vのピーク金�Yよりは高いという��長を�eちながら�峺�きに成長する曲線である。これまで通り、半導���噞では成長が�Vまるという兆�tは��く見られないため、長期的に成長していくことには変わりはない。

ただ、�]期的には中国のロックダウンやロシア・ウクライナ戦争の影�xによるマクロ経済のゆっくりとした停�]はある。こんな時は次のピークに向けて投�@するのがこれまでの�Mちパターンである。このパターンでの変化は当分なさそうだ。

中長期的な��要を見込み、ミネベアミツミがIGBTの�攵��ξ�を��来比で約3倍（6インチウェーハ換�Q）に引き�屬欧襦△�8日の日刊工業新聞が報じた。モーターの�v転�]度を�O�y�O在に変えられるPWM（パルス幅変調）�U御�擬阿離ぅ鵐弌璽燭離好ぅ奪船鵐阿�IGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を使う。投�@�Yは数億��で、���L�Oの�h歳��業所に���]設�△鮖\設し、2022�Q後半の�n働を�`指す。グループのMMIセミコンダクターが�攵�するIGBTの裏�C加工（薄く研磨）を月間8000��処理できる���Uを築くとしている。�h歳��業所では主に、スマートフォン向けのリチウムイオン電池の保護ICを�攵�しており、�攵��ξ�は6インチウェーハ換�Qで月��4万��。

また、GlobalFoundriesは、2022�Q内に�{加の�\�欫�@を始める、と5日の日経が報じた。現在、シンガポールに新工場を建設しているが、この工場敷地内が�t��になるという。GFはドイツのドレスデンと、�櫂縫紂璽茵璽��Α▲轡鵐�ポールの3カ所に拠点を設けているが、22�Q��までに�攵��\�咾旅�場を��めるとしている。

電子����の���]開発を�}�Xける�f国のLG Innotekは、1兆4000億ウォン（1450億��）を投�@、LG電子の�n�_工場を�D�uして半導��基��などを�攵�する、と7日の日経が報じた。�n�_工場はスマートフォンを�攵�していたが、LGがスマホから����したため、工場の����法を検討していた。23�Q中に半導��パッケージ基��とスマホ��カメラモジュールの量��を始めるという。LG Innotekは日本の半導��商社のイノテック（Innotech）とは関係がないようだ。