これまでも複数の経済週刊誌で報じられた、��湾のTSMCやIntelなどの��(sh━)国企業を日本へ誘致しようという噂�Bしがあったが、�T局経�愱の�k��(sh┫)的な「片�[い」に�里泙辰討い拭�今�v、900億��の�{加予�Q案は5Gの高�]通信を�Г┐詒焼���関連の�\術開発に�vす、と日経は報じている。ただ、5G向け半導��だけではなく、「次世代半導��の試�xプラントの�D�△覆匹貌Dり組む企業を�мqする。�Q国メーカーは半導��の性�Δ鮑���する�v路の微細化や3次元化に��を入れる。内外の共同研�|を橋渡しする」と報じており、半導��研�|施設に��を入れることになりそうだ。SEMICON Japanの12月11日におけるオープニングパネルディスカッション「�匲学トップ鼎�i：�l(shu┴)かなデジタル社会構築への課��と提言」において、SEMIの�@誉役�^で東�Bエレクトロンの元会長・社長である東哲�r��(hu━)は、量��に�Tび��くような半導��開発拠点が初期投�@1000億����模で日本に��要だと訴求している。

ただ、問��は�J�Tの総合電機メーカーと半導��メーカーだ。総合電機の経営�vは今でも半導��を成長�噞とみなしていない。また半導��メーカーは、5G向け半導��を�}�Xけていない。ルネサスエレクトロニクスはLTEモデム向けのファブレスを�}放し、東��もSoC��業を�}放した。唯�k、�j(lu┛)�}ではソニーだけが可��性はある。ソニーはイスラエルのLTEモデム��半導��メーカーAltairを�A収して�}に入れたからだ。5GモデムはLTEの��長の�\術を使う。逆に5Gにつながるワイヤレス通信モジュールを�}�Xける��田��作所や、ミリ�SフィルタやAiP（アンテナインパッケージ）を進めるTDKが5Gデバイスを推進している。5Gで�j(lu┛)きく変わる�\術はミリ�Sであり、ここにおいては����メーカーが��躍できる可��性が�j(lu┛)きいはずである。

ただし、日経報�Oには、5G以外にも半導��の研�|施設の�D�△�3次元化、微細化、さらに国内外とのコラボを含めている点で、�L(zh┌ng)外メーカーの誘致の���△賄Dえるようだ。ただ、これまでの�L(zh┌ng)外半導��企業は、単なる���\金ではなく、税�U(ku┛)優遇をセットにしてあり、日本式の���\金を欲しがるかどうか疑問はある。税金を担当する財��省もセットにした仕組みであれば�L(zh┌ng)外企業が戦�Sを見直す可��性は残されている。�i述したオープニングパネルディスカッションで甘�W(w┌ng)����議院議�^は、これまでの�k���o平の原理で予�Qを均等に配分することは何もしないことと同じだと述べており、���U(ku┛)改革とデジタル化をセットで推進していくべきだと提言している。

来�Qの半導���噞を見通す�kつの指�Yである、DRAM価格がどうやら値�屬�りを始めるようだ。12月8日の日経は、11月のDRAM価格は�i月と据え��くことが��まり、DRAM価格が下げ�Vまり感を伝えた。スマホの��要�v復と、データセンターでの成長によると見られている。9日の日経�噞新聞も同様に、11月の下げ�Vまりを��迎する半導��商社のコメント「ほんの少しだが��るい兆しが見え始めている」を掲載し、パソコン向け4GビットDDR4 DRAMの11月の�j(lu┛)口単価が1.98ドル�i後だとしている。10日の日経は、8GビットのDDR4 DRAMのスポット単価が2.86ドル�i後と月初よりも4%高いと報じた。

Micron Technologyの��湾���陲療躱ｹ�場で12月3日に約1時間の停電があり、DRAMの供給が�Vまると12月4日のDigiTimesが報じた。DRAM�x場は、Samsung、SK Hynix、Micronの3社が95%以�屬離轡Д△鰒�めており、桃�､砲△�Micronの工場は、世�cのDRAMの8.8%を供給していると試�Qされている。旧Inoteraの桃�ｹ�場であるファブ11は、工場の�W��システムが�t座に動き、ロスを最小限に抑えたとしている。すでに工場は再開しているものの、原因�|��も同時進行させているという。この停電が単価の値�屬�りにつながっているとVLSI ResearchのDan Hutcheson��(hu━)は見ている。

��湾は半導�����]も設��も��(d┛ng)いが、���]����と材料は弱かった。このほど環球晶��がSiltronic社を�A収することにより、シリコン�T晶の売�幢Yで信越化学工業とSUMCOの間にくることになりそうだ。つまり材料でも��湾が��(d┛ng)くなるという�lだ。