2月27日の日経�噞新聞は、ISSCCにおいて低消�J電���\術が��出したと報じている。まず日立��作所は、量子コンピュータで使われるアルゴリズムを再現する半導��チップを開発、��来の200倍の�]度で���Qできると報じた。消�J電��も削��(f┫)しており、単位消�J電��当たりの性�Δ鯏杜��W(w┌ng)��効率というが、これが��来の1800倍にもなるとしている。

��けて東��がCPUに内�鼎垢�SRAMの代わりに不ｧ発性メモリの�k�|であるMRAMに��き換え消�J電��を80%��(f┫)らした、と報じた。MRAMの��き換えだけではなく、パワーゲーティングやクロックゲーティングなどの�}法も使ったように記��では書かれている。

富士通と富士通研�|所らは共同で、CPU間を光配線で�Tび消�J電��を半��(f┫)させたという発表をしている。サーバ����で消�J電��を1~2割��(f┫)らせるという。

また、24日の日刊工業新聞は、東�B�j(lu┛)学の桜井�Q康教�bと��谷隆夫教�bらのグループがフレキシブル基��に�陵枦澱咾粃~機トランジスタIC、�a(b┳)度センサ、圧電素子などを集積した腕時��型���a(b┳)��を開発、ISSCCで発表した、と報じた。���a(b┳)を常時�R定し、ある設定�a(b┳)度を��えるとブザーが鳴るという仕組みだ。圧電素子はブザー音を発するスピーカーに使う。室内の弱い光でも動作するとしている。

ルネサスがIMECとHolst Centreと共同で、Bluetooth LE（low energy）とZigBeeという二つのトランシーバ(送�p信?d─ng)v路)を集積したICを開発、�p信時3.7mW、送信時4.4mWと低い消�J電��を�u(p┴ng)たと発表した。ISSCCでは、40nmCMOS�v路でこの性�ΑΦ��Δ鮗存修掘��i世代の90nmチップと比べ、消�J電��25%��(f┫)、チップ�C積35%��(f┫)を達成したと発表している。このチップは、デジタル変調�v路とマイコンも搭載しており、RF�霾�をできるだけデジタルリッチにし、アナログ�v路�霾�を1.3mm2に��(f┫)らした。

新聞発表では、日本の企業や�j(lu┛)学の�Bが�Hいが、�L外企業では例えばSamsungが128Gビットの3D-NANDフラッシュを発表している(講演番��(gu┤)7.2)。Samsungにとって��2世代となるこのチップは、3ビット/セル構�]で、32層の積み�屬���(sh┫)式を使い、68.9mm2のチップ�C積に収めた。

ISSCC以外では、ソニーがアンドロイドOSを搭載した4Kテレビを開発、今春��(sh━)国で売り出すと26日の日経�噞が伝えた。4Kの新����10機�|およびフルハイビジョンを含め��14機�|にアンドロイドを搭載する。スマートフォンを使った操作や音�m入��で番組情報を検索できる�屐▲好泪曚硫��Cや動画をテレビに表��する「グーグルキャスト」機�Δ盞eつ。コンテンツ配信サービス「グーグルプレイ」からゲームソフトなどのアプリをテレビにダウンロードする。ソニーだけではなく、AmazonやNetflixなどの主要サービスにも�官�するとしている。

中国からの����も�`立つ。マイクロソフトがノキアから�A収した中国の2工場を閉鎖することが��まったと、27日の日経が伝えた。�攵咁�Δ涙k�陲鬟戰肇淵爐離魯離い��‥召垢襪箸いΑＣ羚颪任猟其��峺�を嫌い中国から����する。グーグルがモトローラモビリティを�A収したものの、2�Q�eたずに中国のレノボに売却した�Bもつい最�Zだ。

�k��(sh┫)で、設��に�R��してきたインドが���]にも乗り出すというニュースもある。日経�噞は、インドにおけるロボット開発・���]のベンチャーを26日にレポートしている。インドのモディ��相は昨�Q、�W倍��相と会�i、インドへの日本企業の誘致を要�个靴拭�これまでインドでは、設��が�u(p┴ng)�Tだった。Texas InstrumentsやSTMicroelectronicsなどがLSI設��（RTL）を依頼、デザインセンターとして�W(w┌ng)��してきた。最�Zは、インドでも半導��工場を作るというトピックスは後を絶たない。セミコンポータルでも2013�Q2月に半導���i工��工場の設立�Bを採り�屬欧�(参考�@料1)が、残念ながら進�tはなさそうだ。

参考�@料
1. インド���B、半導��ウェーハ工場を2棟��画、今�Qの10月までに建設���}へ (2013/02/14)