7月22日の日本経済新聞は、�B都経済��集の中で、�B都の企業を中心にSiCパワー半導��に関する共同開発プログラム「�B都地域スーパークラスタ-プログラム」を、JST（科学�\術振興機構）から2017�Q度まで4億��の���\を�uて推進している、と述べている。オムロンや�Bセラ、サムコ、������作所、住友電気工業、ニチコン、日本電��、堀場��作所、��田��作所、ロームなどの企業に加え、�B都�j学や�B都工繊�j学、同志社�j学、立命館�j学などが参加する。

ロームは国内企業では早い段階からSiC半導��を開発してきたが、その研�|を先導してきたのが�B都�j学�@誉教�bの松�S弘之��。同��は、Si半導��が確立し始めた1960�Q代終わりころからSiCを�}�Xけてきた。1987�Qにステップ�U御エピタキシー法と�}ぶ�\術を開発し、転位をはじめとする�T晶�L陥を��らしたことで、実��化が見えてきた。95�Qにはショットキバリアダイオード（SBD）、99�QにFETを開発したが、日本の半導���j�}は見向きもしなかったと松�S��は筆�vに語っている。

ちょうどその頃、�盜颪�Cree社がSiC基��の販売を始め、ドイツのInfineon Technologiesが2001�QにSBDを発売した。ロームは、�B都�j学の松�S研�|室に研�|�^を派遣、SiC半導��の研�|を国内で最初に始めた。これによってロームは2010�Qに国内では初めてSBDの量��に踏み切れるようになった。今では、ロームに加え、��菱電機、富士電機、デンソーなどがSiCパワー半導��の開発している。デンソー以外は販売も始めている。

SiCパワー半導��は、SBDとパワーFETの内、コストが1桁高いパワーFETはまださほど普及していない。しかし、SiのFRD(高�]リカバリダイオード)をSiCのSBDに変えるだけでも��失が20%��度下がるといわれ、SBDから電�Zへの採��が始まった。SiCのSBDが営団地下鉄銀座線の新型�Z両や、阪��電鉄の8000�U�Z両に使われ始め、2015�Q秋にはJR�兢}線のE235�U�Z両に搭載される見込みになっている。さらに、小田��電鉄ではSiC MOSFETも搭載したフルSiCのVVVF（variable voltage variable frequency）インバータを採��した1000�U�Z両をこの12月から運行させる予定である。

SiCの�咾澆蓮�Siよりも絶縁破�s耐圧が1桁高いこと。このため、不純�馭仕戮�高くても(比�B�^が低くても)耐圧を�屬欧襪海箸�できる。その�T果、オン�B�^を下げながら高い耐圧を�uることができる。電流を�\やすためにIGBTなどのバイポーラ構�]を採る��要がなく、�H数キャリアデバイスですむ。SBDや、MOSFET/JFETなどの�H数キャリア型トランジスタで高�]動作が可�Δ砲覆襦�

高�]スイッチングが可�Δ砲覆襪函�外��けのコイルやキャパシタが小さくてすむため、それら�p動素子のコストを下げることができる。SiC半導���O��のコストは1桁高いが、インバータシステムの小型化が図れるため、システム����のコストは1桁アップする�lではない。数倍ないし数��%のコストアップを��容できるシステムかどうかでSiCパワートランジスタ導入時期の違いが出てくるだろう。InfineonがCCM（連��導通モード）�U御の400WのPFC（��率改��）モジュールで比較・���Qした�T果、バイポーラデバイスを使った140kHz動作と比べ、SiCのSBDとSiのMOSFETを使った500kHz動作の�気�むしろ8%コストダウンになるという（参考�@料1）。

デバイスでは、SiCのSBDとMOSFETを�kつのモジュールに組み込んだフルSiCモジュールの発表が相次いでいる。��菱電機が600V、20Aの家電������の小型モジュールを発表し、この5月には1200Vで100A〜600Aのパワーモジュール（2�瓦�MOSFETとSBD）を����化した。ロームも1200V・300Aのパワーモジュール（同）のサンプル出荷を始めた。

研�|フェーズでは、MOSFETよりもさらに�j電流を可�Δ砲垢襯丱ぅ檗璽薀肇薀鵐献好燭慮��|も始まっており、松�S��の後を�Mいだ�v本��暢教�bが��来の送電��や��高耐圧・�j電流����の半導��を�`指している。

参考�@料
1. コスト・パフォーマンスで考えるSiCデバイス〜Infineonの�Dり組み (2014/07/10)