スマートメーターはスマートグリッド��の中ではセンサーとしての役割を果たし、家庭やオフィスビルでの電��量を�R定、そのデータを送�p信する。電���o棒の�HいイタリアやスペインではGSM�Uの2Gネットワーク�官�のM2M（マシン-ツー-マシン）通信モジュールを使って構築している。これに�瓦靴篤�本では、独�Oの無線ネットワークで電����を無線�擬阿���えようという�lだ。

ここに半導��の�jきな�x場が�擇泙譴��lだが、盗聴（データの�f�p）を防ぐための暗�ｲ酋\術をベースバンドチップに載せることが求められるだろう。家庭やオフィスの電��料金を不��に使われると社会問��になるからだ。�j崎電気工業と日立��作所、富士電機とGEなどが共同開発に�Dり組んでおり、データ送�p信�桔，虜Y��化をどうするか、など課��は�Hいが、半導��にとってはビジネスチャンスになる。

電���U分野においてはパワー半導��が�Lかせない。SiC開発を進めているロームは、SiCもさることながらSiのパワー半導��のラインアップを拡充するというニュースを2月4日の日刊工業新聞が報じた。同社の澤��諭社長とのインタビュー記��の中で、SiCはトランジスタとダイオードを量��に載せたが、プロセス�\術や価格などの問��がまだ�Hいため、あと2�Qはかかると見て、それまでの間にSiでもパワー半導��の����ラインアップを�\やしていくと考えている。

SiC�x場への参入は今からでも��くはない。電子����メーカーの双信電機はSiCパワー半導��向けのコンデンサやノイズフィルタを開発する、と2月3日の日経�噞新聞は伝えている。SiCパワーMOSFETやパワーJFETは高�a動作が可�Δ任△襪汎瓜�に高周�Sのスイッチングもできる。耐圧も高い。SiのIGBTは電流容量が�jきく、しかもトランジスタと同じスイッチング動作が容易なためパワー半導��分野の主流デバイスとなっている。しかし、シリコンゆえに接合�a度Tjmaxが150度��度と抑えられている��、スイッチング動作時には少数キャリヤの蓄積時間があるため高�]動作させにくい。SiCのFETはこれらの�L点を�ﾀKできるため、期待は�jきいが、���]�嶌遒蠅砲�い、�T晶ウェーハサイズが小さく、低価格がしにくい、といった�L点がまだ解��されていない。

しかし、2〜3�Q後には�x場たくさん出てくるだろうとの読みから、双信電気はSiCパワーMOSFETやJFETに使う����として、高�]スイッチング性�Δ箙睹a動作にも耐えられる����を開発する。100kHz〜3MHzの高周�S��性、200℃に耐える、といったスペックを満たすように2013�Q度をめどに�j学と連携して開発を進めていくとしている。

テレビ�x場向けにシャープが��湾の奇美電子と提携するというニュースもあった。��高に�官�することがその狙いのようだ。奇美電子は同じ��湾の�V�L�@密工業に�A収されているが、�V�Lとの関係に期待するという見�気發△�。

英国のスマートフォン��情についての解説記��シリーズが日経�噞新聞に2月2日から7日かけて掲載された。無線LANの基地数を日本の200倍も�Hい200万局配�△掘△気蕕妨��v線の低価格化（基本料金18ポンド＝2400��）を実現している。通信業�v(キャリヤ)が主導するアップストアをアップルに�眼^して立ち�屬欧觴�画だ。加えて、アップルに�眼^するため、ブラックベリーとアンドロイドに肩入れしている構図をレポートしている。