先週は、ルネサステクノロジが逆導通サイリスタを?y┐n)���として�x場へ出した。これは、�O動�Zなどの小型発電機（3相交流モーター）からの電圧をバッテリーに充電するためにACをDCに変換し�W定なDCを電池に供給するためのパワー半導��。定格電流5Aで耐圧は400Vあり、TO-220という実績のあるパッケージに封�Vされたディスクリートデバイスである。逆導通サイリスタは逆��(sh┫)向にダイオードをパッケージ内に並�`接��したもので、外��けのダイオードが要らないというメリットがある。

��菱電機はSiCのパワーデバイスを量��するために福�K�xのパワーデバイス��作所のラインに35億��を投�@、専��ラインを構築し、2011�Q��1四半期から量��を始めると日本経済新聞は報じた。4インチのSiCウェーハを月��3000��流せるラインのようだ。2012�Qまでに総�Y135億��を投じるとしている。SiCのパワーデバイスはMOSFETとショットキーバリヤダイオードが実��に�Zい段階に来ており、新聞報�Oには書かれていないが、デバイスの完成度から言って、おそらく最初に実績のあるショットキーダイオード、次にMOSFETを流すのではないかと思われる。残念ながらIGBTはSiCに向かないことは以�iにも述べたので、IGBTがSiC量����の��(li│n)�I肢に入ることはあり�u(p┴ng)ない。

パワー半導��の主な応��として�O動�Zや二�葫Zの他、数A以�屬療杜�を流す応��なら何にでも使う。スマートグリッドに�L(f┘ng)かせない2次電池、再�擴��Ε┘優襯�ー源となる?y┣n)陵杆�・風��、潮��などの発電����にも使える。いわば環境の切り札的な�T在になりつつある。経済�噞省が主��(h┐o)して国内の�O動�Z、電機、電��などの企業が集まり、スマートグリッドの�Y��化を�}びかけたと日経新聞は報じている。�Y��化すべき分野や�\術を順次IECにも提案していくとあるが、その�iにこれまでの国内��格がなぜ国際�Y��になりえなかったかをしっかり分析し、その轍を踏まないようにしていくことが肝要だろう。�L外企業はいきなり�Y��化会議に提案を出さない。個別の企業と根�vしをしながら会議に提案してくる。国内企業は�Y��化の会議の�iに�L外のコンペティタも含め�L外企業と議�bしていく��要がある。そのために�L外企業に�瓦靴洞散澆魍�いて����やシステム仕様についてディスカッションする。�Y��化に向け、国際化はマストだろう。経�愱は国内企業へ�}びかける作業は終わったため、あとは国内企業が国際�Y��化に向けて�L外企業と個別に�Bし合うことになる。

先週のニュースで気にかかったのはTSMCがらみのニュースである。��湾のファウンドリTSMCは1月12日に、富士通マイクロエレクトロニクスと28nm�\術で共同開発し、11日に�盜颪離侫．屮譽拘覿肇淵鵐弌璽錺鵑離�アルコムとも28nm�\術開発で提携すると発表している。TSMCは、最�Zのアグレッシブな投�@、数1000�@といわれる��模のワーカーの採��など、��(j┤ng)来の地位を�耀u(p┴ng)するための動きが��発である。

半導���Q社みんながファブライトを指向するなら、TSMCは「半導�����]のマイクロソフト」になるだろう。どの企業も��てTSMCに���]を�曚蕕譟�日本メーカーは供給・納期・価格・その他の価格などで何も言えない立場に陥る可��性は極めて高い。ここでその他の価格と書いたのは、ライセンスあるいはロイヤルティ的な料金を要求してくる可��性があるという�T味をもつ。���]が�u(p┴ng)�Tなはずの日本国内にファウンドリがなく、いまだに内�茲零�争に�`がいくようではTSMCの思うつぼになる。NECエレでもない、ルネサスでもない、東��でもない、完��独立のファウンドリがあれば、「TSMC��で」の��要もなくなり、納期・価格・供給などの�CでTSMCと��争できる立場になれるだろう。問��の�@金はアブダビでも、どこでもよい。人はNECエレやルネサスをファブとファブレスに分�`させて連れてきてもよい。日本の���]�\術を�擇�し、世�c企業と�M負し�Mてるファウンドリの立ち�屬欧聾‘い肪佑垢襪呂困澄�こういったアグレッシブな構�[でも�eたない限り、日本の半導��がかつてのワンツー独��を復��させることは�Mしい。

もう�kつの問��は、富士通という���]プロセスにも�@通している企業が���]を専門にしている企業と共同で28nm�\術を開発するということは、富士通の考えている28nm�\術がTSMCに渡るという�T味である。クアルコムだとファブレスだからその心配は��くない。しかし、��に日本のIDM（�貭湘�合半導��メーカー）は�O社の�\術を相�}に�o開して納�u(p┴ng)のいかない工��を�O社流に直すことをする�lだから、TSMCにまるまる�}の内を見せることになる。�\術の流出そして覇権を�曚蕕譴襪箸いΑ△海領�れを��ち切るためにも国内ファウンドリは��要不可�L(f┘ng)ではないだろうか。

できればIDMからファブレスとファウンドリを分�`させることが望ましい。ファウンドリ企業としてプロセスエンジニアとして��路を��ち切らなければ、ビジネスは成功しない、さらにベンチャー企業がファウンドリを担うには�e(cu┛)険が�j(lu┛)きいからである。NECエレやルネサスにプロセスラインを残したままのファウンドリ構�[は��ず失�`する。もちろん、ファウンドリには設��との、��に�駘�設��とのインターフェースを�pけ�eつ�靆腓���要で、できれば設���嵶�のESL�靆腓箸力�携もタイミング、消�J電��の点で��要となる。このため設��エンジニアもファウンドリには��要なことは言うまでもない。

�j(lu┛)日本印刷のTSVインターポーザー基��

LSI�噞での新しいビジネスモデルが日本から�擇泙譴討�た。�j(lu┛)日本印刷は3次元積層�\術に��要なシリコンのインターポーザー基��を販売するというビジネスを始めた。さまざまなチップを�eに�_ねる3次元ICでは、楉鵡�で�}っ�Dり早く�峅爾離船奪廚鬚弔覆�合わせたい。しかし、電極パッドの位��がメモリーとロジックでは�j(lu┛)きく違い、そのままでは使えない。このため二つのチップの間にインターポーザーと�}ばれるシリコン基��をつなぎ合わせ、その�屬縫蹈献奪�、その下にメモリーなど、異なるチップをTSVでつなごうという�lだ。これまで���R��だったインターポーザーに�@��性を�eたせたという。