Semiconductor Portal

» セミコンポータルによる分析 » x場分析

最先端プロセス以外のウェーハもjきくりはしない

SICAS(世c半導攵キャパシティ統)の2007Q4四半期におけるシリコンウェーハの攵ξについて発表された。4四半期におけるMOSウェーハはiQ同期比14.0%Pびた。設ルールで見ると、jきくPびたプロセスは0.12μm未満のウェーハであり、48.7%とjきくPびた。

μm別のMOS攵ξ


ほかの設ルールのウェーハはわずかではあるが少している。0.12μm未満のウェーハはiQ同期比で91.4%、と-8.6%少したが1QiはiQ同期比99.1%とほぼ横ばい。つまり、微細化したウェーハは]にPびているが、微細化していないウェーハは少しずつ少している。

ただし、してなくなるわけではない。例えば0.7μmよりもjきな設ルールのウェーハは2006Q4四半期でiQ同期比98.2%だったが、2007Q4四半期では同87.2%とjきく落ちた。しかし、屬離哀薀佞鮓る限り、0.12μm未満のウェーハがPびていく勢いにゲタをはいた格好でそれ以外の設ルールのウェーハもk緒に出荷されている。

ウェーハのサイズごとの統でも同様な向は見られる。300mm(12インチ)ウェーハのPび率はjきいが、だからといって200mmウェーハや200mm未満のウェーハがなくなるわけではない。200mmウェーハは2007Q4四半期にiQ同期比で-8.8%と少したが、200mm未満のウェーハは逆に+61%\と\えている。


ウェーハサイズ別のMOS攵ξ


T局、ウェーハサイズ別に見ても300mmウェーハ数は\加向にあり、それ以外のjきさのウェーハもゲタをはいた形になり、ウェーハのPびに寄与している。

ごT見・ご感[
麼嫋岌幃学庁医 晩云匯曝屈曝眉曝膨曝励曝| 99消消忽恢忝栽娼瞳醍狭| 天胆冉巖篇撞匯曝| 卅繁窒継壓濆杰憾瀁絨| 冉巖戴尖嶄猟忖鳥| 壓瀏娜蕉侘鍔崢| 消消娼瞳忽恢99娼瞳忽恢冉巖來弼 | 弌苧窟下喟消壓潦蛭肪盞| 消消消忽恢99消消忽恢消| 自瞳富絃瓜値議易習岷島易習| 褒皮通邦瓜析査簾赴哇篇撞| 仔利壓瀉盞竸| 爺銘匯鷹屈鷹廨曝| 冉巖忽恢娼瞳濆杰寛賛| 析弗低和中挫物挫侮篇撞| 忽恢來弼av互賠壓濆杰| caoporn97壓瀛啼欺秘| 忽裕徭恢AV匯曝屈曝眉曝| 嶄猟忖鳥篇撞壓濂シ| 天胆晩昆匯云寄祇秉凝恵| 亜赱喘薦亜赱亜赱酔赱侮| 69pao娼瞳篇撞壓濆杰| 挫槻繁舞瀧篇撞壓濆杰| 消楳課唹垪壓濆杰換恢| 天胆來値住XXXX源禿| 怜匚胆溺牽旋篇撞| 弼忝栽消消匯曝屈曝眉曝| 忽恢娼僉岻装翆勸媾| 嶄猟忖鳥及屈匈壓| 晩昆av涙鷹匯曝屈曝眉曝| 冉巖天胆晩昆忽恢匯曝屈曝娼瞳 | 窒継涙鷹嶄猟忖鳥A雫谷頭| 胆溺嫖蝕揚斑槻繁涌訪強只篇撞| 忽恢岱繁戴娼瞳匯曝屈曝| 互丕滋進槻溺縮片勸媾| 忽恢撹繁涙鷹18鋤怜匚牽旋P| 嶄猟忖鳥強只娼瞳廨曝| 忽恢娼瞳母溺匯曝屈曝| 91撹繁窒継鉱心| 忽坪徭恢富絃徭田曝窒継| 99篇撞壓濆杰簡啼|