図1　シリコンウェーハ�C積の実績と見通し　出�Z：SEMI

2024�Qは2021�Q〜22�Qの半導��不�Bの時に、二�_、���_の発�Rによって実��よりも�Hくの半導������を発�Rしたことで在�Uが膨らみ、それを解消するために時間がかかりすぎ2024�Qにずれ込んだ。しかも23�Qから24�Qは�收�AIへの��要が極めて�jきく、�收�AIを導入するためのデータセンター��要だけが�jきく成長した。そのため、パソコンやスマートフォンなど他の�j��模な��要の�v復が��いのにも拘わらず、2024�Qの半導������は約二桁のプラス成長という�T果になりそうだ。

つまり半導������は�v復したものの、半導��を作るための���]����やシリコンウェーハなどの材料などはほとんど�\えていない。ウェーハはむしろ��少という�T果になるという見込みである。

ただし、AIへの勢いは衰えていない。むしろ2025�QにはAIチップと�k緒に使われるコンパニオンチップのようなHBM（High Bandwidth Memory）メモリは�\えていくため、来�Q出荷されるウェーハの�C積はプラス10%のリバウンドが来る、とSEMIは見ている。HBMはDRAMチップを4��あるいは8��、12��を�_ねてTSV（through silicon via）を通してDRAMをつないだ����。来�Qは在�Uの�\えすぎが解消され、�攵捓を�\やしていくことになるため、半導������だけではなく���]����や材料も�\えていきそうだ。