図1　300mmウェーハ投�@のSEMIによる予�[　出�Z：SEMI

「300mmプロセスラインへの設��投�@�Yはここ数�Q�屬蠶柑劼濃\えてきたが、エレクトロニクス����を使う分野の��要拡�j(lu┛)と、AIによる新��要が�擇泙譴燭海箸砲茲襦廚�SEMI代表でCEOのAjit Manocha��(hu━)は述べている。SEMIとしてもこれまでの予�Rを見直し、新たな予�Rを�]ち出した。

地域別ではやはり中国は���Bの�мqが�j(lu┛)きく、2027�Qには300億ドルに達すると見ている。���Bの�мqに加え、�O国での開発の��要に��られるようになったからだ。中国の次に�j(lu┛)きな投�@�Yはやはり��湾で、27�Qには280億ドル、3位の�f国は263億ドルにそれぞれ�\加すると予�Rする。共にHPC（High Performance Computing）�x場の拡�j(lu┛)とメモリ�x場の�v復による��要�v復が�j(lu┛)きいと見ている。

��(sh━)国の投�@�Yも��して少なくない。2024�Qの120億ドルが27�Qには2倍の247億ドルになると見込んでいる。���]業の�v帰と共に半導�����]も�v帰への�Sが進んでいるからだ。��にIntelがプロセス設�△世韻任呂覆い�、5�Q間で1000億ドルを投�@すると��画しており、最�Z��(sh━)国���Bから85億ドルの���\金と110億ドルの融�@が��まった。

これら以外の地域はさほど�j(lu┛)きくないが、日本と欧�Αγ��Z東地域は2027�Qにそれぞれ114億ドル、112億ドルに�\加し、東南アジアは53億ドルにとどまっている。

応��分野別では、ファウンドリの投�@�Yは2024�Q566億ドルだが、�i�Q比4%マイナスと予�Rされている。10nm以�屬寮��^プロセスノードでのスローダウンによる。その代わり�收�AIや�O動�Z、インテリジェントエッジデバイスなどの分野は成長が�j(lu┛)きい。2023�Qから27�QまでのCAGR（�Q平均成長率）は7.6%で、最終�Qには791億ドルになると見ている。

データのスループットへの期待が�j(lu┛)きいAIサーバーではHBM（High Bandwidth Memory）への��(d┛ng)い��要が加�]され、メモリは2027�Qには791億ドルの投�@が期待される。23�QからはCAGR20%と高成長だ。DARM投�@は同期間CAGR17.4%成長で252億ドルに達する。�k��(sh┫)3D NANDフラッシュへの投�@はCAGR29%で168億ドルになると予�[している。

アナログ、MCU/MPU、オプトデバイス、ディスクリートへの投�@�Yは2027�Qにはそれぞれ、55億ドル、43億ドル、23億ドル、16億ドルと予�[されている。