≪2013�Q11月の世�c半導��販売高≫

��(sh━)SIAからの発表は、次の通りである。

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○グローバル半導��販売高、11月も�峺�(j━ng)−9ヶ月連��の世�c販売高�\加；Americas地域が引き��き�Pびを牽引 …1月3日��け SIAプレスリリース

半導�����]&設��の��(sh━)国のleadershipを代表するSemiconductor Industry Association(SIA)が本日、2013�Q11月世�c半導��販売高が$27.24 billionに達して、�i�Q同月$25.51 billionから6.8%�\、�i月総��を0.6%��?j┼n)vっていると発表した。グローバル業�cは11月で9ヶ月連��の販売高�\加をあげており、�i�Q同月比18.6%�\、�i月比4.2%�\で�PびたAmericas地域が�j(lu┛)きく引っ張っている。月次販売高の数値はすべてWorld Semiconductor Trade Statistics(WSTS) organizationのまとめであり、3ヶ月�‘以振僂派修錣気譴討い襦�

「AmericasおよびAsia Pacific地域の�Pびの�e��およびEuropeおよびJapan地域での最�Zの戻しに�Г┐蕕譴董�2013�Qのグローバル半導��業�cは����(d┛ng)さが高まっており、売�屬何卦��{の歩調軌�Oにある。」とSemiconductor Industry Association(SIA)のpresident & CEO、Brian Toohey��(hu━)は言う。
「すべての地域およびほとんどの����カテゴリーにわたって��調な推進��があり、該業�cは新�Qの����(d┛ng)いスタートにあたって好位��にある。」

地域別には、�i月比でAmericas(+4.2%), Europe(+2.0%)およびJapan(+0.1%)と販売高は�\加したが、Asia Pacific(-1.0%)は�爐�に��(f┫)少した。2012�Q11月と比べると、Americas(+18.6%), Europe(+10.9%)および Asia Pacific(+5.5%)では�\加した。Japan(-8.8%)は日本���Wが1つにあって��(f┫)少となっているが、ここ数ヶ月昨�Qの�B並みに戻してきている。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　【3ヶ月�‘以振僖戞璽后�

�x場地域	Nov 2012	Oct 2013	Nov 2013	�i�Q同月比	�i月比
========
Americas	5.02	5.71	5.95	18.6	4.2
Europe	2.80	3.05	3.11	10.9	2.0
Japan	3.41	3.11	3.11	-8.8	0.1
Asia Pacific	14.28	15.22	15.07	5.5	-1.0
��	$25.51 B	$27.09 B	$27.24 B	6.8 %	0.6 %

--------------------------------------

�x場地域	6- 8月平均	9-11月平均	change
Americas	5.19	5.95	14.7
Europe	2.91	3.11	6.7
Japan	3.05	3.11	2.1
Asia Pacific	14.83	15.07	1.6
	$25.98 B	$27.24 B	4.8 %

--------------------------------------

�x場地域	2012�Q1-11月����	2013�Q1-11月����	change
Americas	49.50	55.79	12.7
Europe	30.56	32.05	4.9
Japan	37.72	31.92	-15.4
Asia Pacific	148.33	158.22	6.7
	$266.11 B	$277.98 B	4.5 %

※11月の世�c半導��販売高 地域別内�lおよび�i�Q比�Pび率推�，凌沺�以下参照。
⇒http://www.semiconductors.org/clientuploads/GSR/November%202013%20GSR%20table%20and%20graph%20for%20press%20release.pdf
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今�vから�Q初からの販売高����が��(j┤)されているが、我が国の1-11月は欧�Δ皺��vっており、改めて奮��を�任稿睛討箸覆辰討い襦�

この��(sh━)SIA発表を�pけて、週��というタイミングがあるかと思うが、以下の反応が見られている。

◇半導��世�c販売、272億ドルで最高��(g┛u)新、2013�Q11月 (1月4日��け 日経 電子版)
→?ji┌ng)盜馮焼���工業�?SIA)が3日、昨�Q11月の半導��世�c売�峭發��i�Q同月比6.8%�\の272億4�h万ドル(約2兆8520億��)になったと発表、昨�Q10月実績を0.6%��?j┼n)vり、3カ月連��で��(c┬)去最高を��(g┛u)新、�i月実績を��?j┼n)vるのは昨�Q3月から9カ月連��の旨。スマートフォン向けなどで��(sh━)国を中心に��要が引き��き好調に推�，靴浸檗�

この販売高�\加の勢いがどう��くかが今後の�R�`となるが、�B元のメモリ関係記��として以下があり、少なくとも12月は勢いの維�eを感じさせている。

◇DRAM、高値で横ばい、12月�i半�j(lu┛)口、パソコン�� (12月28日��け 日経)
→半導��メモリの代表格であるパソコン��DRAMの高値が��いている旨。12月�i半の�j(lu┛)口�D引価格は11月後半から横ばい圏で推�　∋愃YとなるDDR3型の2Gビット��は1個2.10ドル、4Gバイトのモジュール(複合����)も同じく33ドル�i後、�Q初比2倍��(d┛ng)の高値水��を維�eしている旨。

◇SK hynix’s exports surge 38% in 2013-Exports by SK Hynix hit $12.3B in 2013, a 37.8% increase from 2012 (1月1日��け The Korea Herald (Seoul))
→世�c��2のcomputerメモリ半導��メーカー、SK hynix社が水曜1日、同社の昨�Qの輸出出荷が38%�\の13 trillion won($12.3 billion)に達した旨。
　　

≪�x場実��PickUp≫

Samsungが、8-Gビット、すなわち1Gバイトと、1個のdieとしては現在最�j(lu┛)容量となるDRAM開発の発表を行っている。SK Hynixも並ぶ形で発表となっている。

【Samsungの最�j(lu┛)容量DRAM die】

◇Samsung wants to cram 4GB of RAM into your next phone-Samsung chip steps up memory storage for smartphones (12月30日��け PCWorld/IDG News Service)
→Samsung Electronicsが、来�Q量�忼荷に入る8-Gビット低電��DDR4メモリデバイスを開発、これら半導��の4つからhigh-endスマートフォンで4-Gバイトのストレージが�u(p┴ng)られる可��性の旨。

◇Samsung unveils industry's first 8Gb LPDDR4 mobile DRAM (1月2日��け EE Times India)
→Samsung Electronics Co. Ltdが、業�c初、8Gビット, 低電��double data rate 4(LPDDR4), モバイルDRAMを披露、�Pびゆく�x場��要に適合するよう次世代の��高�]モバイルメモリに向けている旨。該8GビットLPDDR4は、20-nm級プロセス�\術で���]、1個のdieで1Gバイトとなり、現在のDRAMコンポーネントとしては最�j(lu┛)容量の旨。

Samsungのトップからは、枠組みを乗り越え、業�cを引っ張る革新を求める�_が社�^に�瓦啓，猟未蠅任△襦�

◇Samsung's reinvention? Innovation 'around the clock'-Samsung chairman wants R&D employees to innovate "around the clock" (1月3日��け ZDNet)
→Samsung Electronicsのchairman、Lee Kun Hee��(hu━)が本日出したメモ。同社��業�^は、ハードウェアだけの思考を越えて同社����のより広�J(r┬n)な戦�S的見��(sh┫)を採らなければならない旨。「我々はもう�k度変わらなければならない。業�cの流れをリードできるよう、ビジネス構�]などinnovationsをさらに�j(lu┛)きく推進しなければならない。」

インドでは、2013�Qを振り返って最も刺��的な�Qの1つと、以下の見��(sh┫)がなされている。懸案の半導��fab拠点建設に���Bの�R認が�u(p┴ng)られて、2つのconsortiaが�@乗りをあげているが、�j(lu┛)�}半導��メーカーが�i�Cに出てきてないという見��(sh┫)も表わされている。

【インドの2013�Qエレクトロニクス&半導��業�c】

◇2013 in review: India, we have lift off! (12月30日��け EE Times India)
→新�Qが�Zづいて、EE Times Indiaとしてエレクトロニクス業�cを��るがせたニュースを振り返り、次の通り：
2013�Q���k四半期に業�c最�j(lu┛)�}、Intelが、desktopマザーボードラインの終わりを発表する�k��(sh┫)、STおよびEricssonが、両社モバイル半導���靆腓諒頂燭帽臍T、約1,600人の��業�^が職を失っている旨。数ヵ月後、現地の良いニュースが表われてきて、インド南�陲縫┘譽�トロニクス���]clustersを設立するという新��投�@提案を���Bが�pけ入れた旨。
2013�Q後半は、インド初の��星へのspacecraft venture�]ち�屬伽�功、�C白いものとなった旨。内�Vはまた、fab units設立を�R認、インドの輸入依�Tを��(f┫)らして、�O�i設��の半導���攵�を�膿覆垢襪發里任△觧檗�
IIT Bombayのような教育機関がIC���]先端コースを提��(j┤)してサポートを��(j┤)す�k��(sh┫)、Infosysなどのメーカーが中��および新卒両��(sh┫)について現地エンジニアのjobsがあることを確認した旨。

◇No major takers for govt's fab project, the second time-As the government fails to get proposals from significant players to set up fab units, the road for Jaypee and HSMC seems clear-India's fab project fails again to attract big chip players (1月2日��け Business Standard (India))
→Hindustan Semiconductor Manufacturing Corp.(HSMC)およびJaypee Associatesが主導する2つのconsortiaが、インドでのウェーハ���]拠点建設および���△念幼���っており、半導��メーカー�j(lu┛)�}が該プロジェクトのリーダーとして出てきていない旨。HSMCはSTMicroelectronicsおよびSilterraと協働している�k��(sh┫)、JaypeeはIBM MicroelectronicsおよびTower Semiconductorとコラボしている旨。

◇Everything will be imported in India, says MAIT (1月3日��け EE Times India)
→2013�Qはインドのelectronics業�cにとって最も刺��的な�Qの1つであった旨。主要な�t開のすべての中で、���]は浮き沈みがあって噂でもちきりのままであったが、2013�Qはインドに2つの半導�����]拠点を設立するという画期的な�R認が行われるとともに、業�cを��るがせるいくつかの発表があった旨。

このところ、シンガポールの研�|機関、�j(lu┛)学での�\術開発の発表がよく�`につくということで、この�Q���Q始のタイミングで�R�`した3�P、以下の通りである。世�cのhubという立地であり、�T集した成果に�R�`と思う。

【シンガポールでの�\術開発】

◇New Innovation By NUS Researchers Enhances Information Storage In Electronics-Researchers develop new MRAM technology (12月30日��け RedOrbit)
→National University of Singapore(NUS)の研�|。electronicデータストレージの進歩と�eう新しいmagnetoresistive random-access memory(MRAM)�\術を開発、該�\法を��いると、MRAM半導���屬離如璽燭�20�Q間保�eされる可��性の旨。消�J�vの立場からは、computersあるいはlaptopsのboot upを待つ��要がもはやなくなる旨。

◇Graphene Heats Up Race For Cheap Organic Solar Cells-How graphene electrodes could displace ITO in organic solar cells (1月1日��け CleanTechnica)
→A*STAR Institute of High Performance Computing(Singapore)の研�|。
graphene��電極がorganic solar cellsでindium tin oxide(ITO)電極に��き換わる可��性があるほどに、graphene�攵�が改��されてきている旨。
organic solar cell�屬�4つのgraphene層を��くのにchemical vapor deposition(CVD)を使��、該carbon材料がITOのエネルギー効率、92.3%に達し�u(p┴ng)ることを見い出した旨。

◇Grow graphene for electronics the bio-inspired way-Team uses bubbles in growing, transferring graphene (1月2日��け EE Times Asia)
→National University of Singapore(NUS)の研�|。grapheneの成長、�‥召離廛蹈札后�face-to-face transferの�k�陲箸靴�capillary bridgesを採��、NUSのGraphene Research Centerにて研�|チームは、まずシリコン基����copper触��層の真�屬�grapheneを成長、それからcopperをetching除去、capillary bridgesを形成するbubblesを通してgrapheneをシリコンにくっつける旨。

≪グローバル雑学?f┫)棔?87≫

�f国の朴槿�L(パク・クネ)�j(lu┛)統�襪�国連の潘基文(バン・キムン)����総長と電�Bで協議、�W倍晋����相の靖国神社参拝について「��(c┬)去を直��せずに周辺国に�aを与えれば協��の環境を阻害して不信と反�`をつくり�屬欧襦廚犯稟修靴燭箸いΦ���(1月2日��け 日経・電子版)が見られる現時点であるが、

『歴史認識を問い直す　−−−靖国、慰�W婦、�訶斂筱�』
　　　(東�戞］択} 著：角川oneテーマ21 A-168)　…2013�Q5月10日 再版発行

より、こんどは�f国の場合の歴史認識問��に��点を当ててみる。靖国参拝に加えて慰�W婦問��があり、以下著�vが��(j┤)す根っこにある心情、今までの経緯、そして���E的和解を�`指す解��の�O筋の考え��(sh┫)に�R�`している。

��二�陝［鮖貿Ъ洩筱�　−−−再登場した�o問��

��五章　�f国の場合　−−�Q野�i�Bと慰�W婦問��

□募る「恨」の感情
・中国との歴史問��
　→日本の中国�j(lu┛)陸への侵�Sに�瓦垢訶椶蠅帆躋�
・�瓦靴董∠f国の場合
　→日本により��合、36�Qにわたり国を失ったというもう�kつ次元の違う「恨」が背景
(�k)�c��の屈辱感
　→�L(zh┌ng)を隔てた東夷の世�cにある日本、朝�zよりも下の世�c
(二)裏切り
　→日�f議定書で「�f国の独立を保証」、その日本に��合された
(��)��圧
　→1910�Q��合初期の�������E、�^する「��・�k」運動
(四)皇�c化の動き
　→創��(hu━)改�@、忠良な日本帝国の臣�cとする��策
(五)�f国人にとって最も耐え�Mいこと
　→�f国の最優秀の�E�Qたちが、日本帝国のために、その�k�陲燭諚f国のために。�Oら志して戦った例
(六)戦後においても、南��が分�����襪気譴襪箸いν輯�せぬ悲�S
　→�f国から見れば、分��の悲�Sを担うべきは、戦争の責任�vたる日本であるべきということに
(�D)狂気の朝�z戦争
・�Z代化への日本の努��
　→朝�zでは、�Oらの��で�Z代化を成し�~げられなかった怒りとしての記憶に転化しているよう
・日本に�瓦靴瞳�り返し�Dり�屬欧蕕譴觧佑弔痢嶌─�
　→独��問��
　→教科書問��
　→靖国の問��…中国との関係で�k�I的に問��
　　　　　　　　　　　…靖国神社に�椶蕕譴�2万1000余�@の朝�z人英霊
　→慰�W婦問��
・日�fは、少しずつ和解の��(c┬)��
　→1998�Qの日�f共同�x言(小渕��相と金�j(lu┛)中�j(lu┛)統��)で頂点に
　→この�x言の後半、「�{い世代が歴史への認識を深める」という点
　→残念ながら、日�f両国においてこの�Dり組みが�科�になされていない

□�Q野�i�Bとはなにか
・2011�Q��(c│i)以�T、半端でない�Mしさを伴って登場した慰�W婦問��
・世�cの�j(lu┛)勢についての��確で鋭敏な情報を入�}、�~効に�官�しない限り、日本は、確実に、来るべき外交戦争に�`��する
・日本の国内議�bは、先鋭な左と��の�肝�から始まっている
・1993�Q8月4日、�Q野�i�Bの発出
　→これでいったん����がついたかにみえたが、1995�Qに��動を開始した「アジア��(j┼n)性基金」の��動を巡って、日�fの�肝�は再�\

□日本は人権否定�vか
・2007�Q3月1日、ぶらさがり懇�iで�W倍��相
　→狭�Iの「��(d┛ng)�U(ku┛)連行」はなかったという�貉櫃糧�言
　→�W倍総理を慰�W婦問��の「否定�v」(denier)として糾��する��(sh━)国マスコミの�b調が�[�気鮴笋靴得┐泙犬い發�
・(著�vが、)議�bに参加したアメリカ人から言われたこと
　→「�O分の娘が慰�W婦にされていたらどう考えるか」という�k点のみ
　→この問��の本��
・「昔は仕��(sh┫)がなかった」と言って肯定しようものなら、問��外の国ということに
・2007�Q7月30日、慰�W婦��議案(日本に�瓦垢觸o式�a�M要求)が、歴史�崕蕕瓩���(sh━)下院本会議で採�I

□再�\する慰�W婦問��
・鎮��化の様相の後、2011�Qの春ごろから、�f国とアメリカでこの問��が再�\
・2011�Q8月、�f国憲法裁判所から、�f国���Bは慰�W婦の権�W(w┌ng)を守っていないという判��
　→ソウル日本�j(lu┛)使館�iの慰�W婦�気�、同�Q12月14日に��式に設立
・李���F�j(lu┛)統�襪蓮�2012�Q8月の����訪問について、慰�W婦問��がその直接の引き金となったと述べた

□アメリカの問���T識
・�f国�Uアメリカ人投票�v協議会(KAVC[The Korean American Voters' Council])が、ユダヤ社会との連携を進める動き
・2012�Q春、New Jersey��Palisades Park�xで、慰�W婦の設立建立の動き

□���E的和解をめざして
・�f国との関係、もとより、解��には�O筋
　→(著�vが1つあると思うに、)「アジア��(j┼n)性基金」の��長�屬某靴靴��U(ku┛)度をつくる。日本���Bは�O�I的�菘世�ら�a�Mと償いを行う。
　→日�f間の���E的和解の基礎をつくること
・アメリカおよび世�cの世�bに�瓦靴討蓮�日本人は「��(j┼n)性の痛みを感じる�c��である」という立場を��るがせにしない
　→�Q野�i�Bには�}をつけずに、�T��する