図1　「ムーアの法�Г禄�焉しない」imec Technology Forum Japan 2020で講演するimec CEO兼プレジデントのLuc Van den hove��(hu━)　
（出所：著�vがPC画�Cをスクリーンショット）

��(g┛u)なる微細化から����していった日本勢は��争��失いリストラの�f(w┐n)

かつてSEAJ主��(h┐o)の半導���噞動向に関する講演会で、著�@な半導����業責任�vや�j(lu┛)学教�bが口をそろえて「45/40nm以�Tの28nm以�Tへ向けたロジックデバイスの微細化は、コスト高になるだけで採�Qが合わないからやるべきではない」と主張し、実際、日本の��ての半導��メーカーは45/40nm以�Tのロジックデバイス���]から����してしまった。半導��専門誌も「ムーアの法�Г僚�焉」といった��集記��を組んでこの動きを報じたが、そんな雑誌も半導���\術�vの��(f┫)少で�霓���(f┫)に�椶泙気譴垢戮毒儡�に�{い込まれた。

その余�Sが未だに残っていて、��争��を失った日本の半導��業�cのプロセス�\術�vのリストラが��々と��いている。つい最�Zも、パナソニックは半導����業から完������した。タワーセミコンダクタが51%の株式を�eつTPSCo（Tower Jazz Panasonic Semiconductor Co., Ltd）の��陸3工場（パナソニックが49%の分）を��湾勢に売却してしまい、同じTPSCoでもTower Partners Semiconductor Co）と�@乗っている。東��デバイス&ストレージ社は、システムLSI��業����に伴い770人がリストラされつつある。さらには旧東���j(lu┛)分工場と旧岩�}東��エレクトロニクス（現在はジャパンセミコンダクターという�@の工場。ファウンドリビジネスと称していたが営業��動はなし）の売却�Bも�eち�屬�っている。

��微細化に��須のEUV露光�\術についても、日本の露光����メーカートップは「�\術的には優れているが、筋が�Kく実��化するわけがなく、まるでコンコルド（早々と��役し普及しなかった��音�]旅客機）のようだ」といってEUV露光����も開発段階で����してしまった。そしてかつて露光�\術で世�cを�U(ku┛)覇していた日本勢は、いつの間にかシェア1桁へ転落してしまっている。ニコンは、主��のカメラ��業に加えて、半導��露光������業も不振で�j(lu┛)幅な人材」リストラを行うという。

ムーアの法�Г亦�い��微細化の�Oを切り開いた�vだけが�Mち残る

ムーアの法�Ы�焉の�Bは、実は32/28nm世代になってはじめて言われたわけではなく、ずーっと以�iから繰り返しいわれてきたが、終焉と判��した人たちが脱落していっただけで、ポジティブな見��(sh┫)で真剣に�Dり組んだ人たちによって��微細化の�Oが切り開かれてきた。

かつて半導���噞とは無縁のベルギーの片田舎の研�|所だったimecは、終始�k棙燹璽△遼��Г臨�命に真剣に�Dり組み、今や世�c最先端の最�j(lu┛)かつ最高の半導��微細化研�|機関へと成長した。

先端半導��業�cでは、��TSMCと�fSamsungが、7/5nmデバイス量��に EUVリソグラフィ（NA=0.33）を適��している。TSMCでは、去る11月に��湾の3nm量��ファブが�A工し、本社のある新�腓砲�2nm量��ファブの建設を����中で、ASMLに1��200億���i後のEUV露光����を�H数発�Rしている。TSMCによれば、�W(w┌ng)益の最�j(lu┛)の源泉は��微細化プロセスによる���]�p�Rにあるという。同社の今�Qの売�峭發��i�Q比3割�\と予�Rされている。

imecとASMLが高NA EUVラボを設立、��微細化の研�|に���}

Van den hove��(hu━)は講演の中で、微細化が3nmの壁を越えると、さらに高解�掬戮亮＼ぢ綛�NA (NA=0.55) EUV����を導入する��要があると指�~した（図2）。ASMLでは、すでに巨�j(lu┛)な高NA EUV露光����(NXE:5000シリーズ)の基本設��を終えているが、商��化は2022�Qごろの予定であるという。ASMLは��来からimecと密接に協業してリソグラフィ�\術開発を行ってきたが、高NA EUVリソグラフィ����を��いたリソグラフィプロセス開発に関しては、ベルギーのimecキャンパスに「IMEC-ASML HIGH NA EUV LAB」を新たに設��して共同開発を行い、マスクやレジストの開発なども両社が素材サプライヤと�k緒になって開発を行うとしている。

図2　3nmから1nm未満に至るリソグラフィ����のロードマップ：��来型（NA=0.33）EUV露光����から巨�j(lu┛)な高NA (NA=0.55) EUV露光����へ (出所：imec. 2020�Q11月)

EUV露光は日本�擇泙譴龍\術なのに日本で半導�����]に使われない

EUVリソグラフィは、実は日本�擇泙譴龍\術であることは、ほとんど忘れ去られている。世�cではじめてのEUVリソグラフィの発表は、1986�Q応���駘�学会秋���j(lu┛)会でのNTTによる「X線縮小投影露光」と��する発表であることはASMLも認めている。その後、��来のX線リソグラフィと区別するため、��(sh━)国でEUVリソグラフィと�}ばれるようになった（参考�@料1）。いわば本家の日本では、20�Q�Zくにわたり、巨�Yな研�|�Jを投じてEUV関連のさまざまな国家プロジェクトや業�cコンソーシアム��動が行われたが、�T局、日本の����メーカーはEUV露光����開発から早々と����し、EUV露光を�攵�に����する半導��メーカーも�S無のありさまだ。実は、EUVのみならず、すべての半導��関連の国家プロジェクトやコンソーシアム��動が、�`�Yに掲げていた「日の丸半導��の復権」をもたらさなかった。

国家予�Qを使って�L(zh┌ng)外の半導��メーカーを日本に誘致したり、日の丸ファウンドリを設立したりしようという動きがあるようだが、そんな思い��きのような試みは��して成功しないだろう。その�iに日本の「失�`の本��」、�L(zh┌ng)外勢の「成功の本��」をきちんと学ぶべきだろう。

参考�@料
1. �K����(d─n)：「ムーアの法�Г鰊M(f┬i)��させる3D実�△�EUVリソグラフィ�\術」、マイナビニュース、(2020/07/22)