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ここがヘンだよ、ニッポン2〜研|開発か業か

新しい\術が登場した場合の、日本とL外との違いを見てみよう。最Zの例として、Siウェーハ屬GaN層を形成し、LEDやパワーデバイスを作る動きがある。LED照のチップとなるGaNダイオードは、これまで高価なSiCやサファイヤ等のT晶を基として形成されてきた。LEDのコストを下げるためにはj口径化がLかせないが、これまでの法ではコストが峺する。このため、T晶基にW価なSiを使おうという研|、開発の動向がある。ここに日本とL外とのjきな違いを見た。

8月17日のテクノロジー(参考@料1)で報Oしたように、L外ではGaN-on-Si関係のベンチャー企業が出している。Si屬GaN層を形成する\術を開発する企業、その屬LEDダイオードやトランジスタを設攵する企業などが発に創業を始めている。600VのGaN パワーHEMTを開発、高価なSiC基で作ったE色LED並みの高い度のLEDをGaN-on-Siで実現、GaN-on-Siウェーハを発売、といったようなベンチャー企業たちだ。

国内におけるこういった動きはx場指向ではなく、最初から研|指向だ。7月27日に@古屋工業j学と経済噞省中襍从兢噞局が共同で、「窒化馮焼マルチビジネス創撻札鵐拭次廚鯀論澆垢襪犯表した。これは、@古屋j学がeつ、Si屬GaN形成\術を核に窒化馮焼パワーデバイスの実化・業化に向けた研|開発推進拠点を作るということである。いわば、GaNパワーデバイスのインキュベーションセンターだ。総業J22億をかけて2013Qの3月に建颪完成し、j学に加えc間企業13社とo的研|機関1つが入居する予定となっている。いわばまず、ハコモノを作ろうという発[だ。

L外との差は、同じテーマでも業してしまう点とR&Dセンターとなるコンソシアムを作るという点がjきく違う。さっさとビジネスを立ち屬押△修里燭瓩掠@金をVC(ベンチャーキャピタル)から調達するのがL外だ。盜颪中心となっている新興企業だが、欧ΔIMECもパートナー企業と組み8インチウェーハを使ってGaN-on-SiのパワーMISHEMTとYCMOSv路を集積するデバイスを開発し、業化を`指している。IMECはパートナー企業をらかにしていないが、業化を早く進めるのは間違いない。

@古屋のプロジェクトは、地元のLEDj}、LEDメーカーのl田合成に瓦靴同麥犬靴討い襯董璽泙里茲Δ妨える。というのはGaNが白色LEDの材料なのにもかかわらず、応をパワーデバイスに限定しているからだ。8インチのようなj口径シリコン屬GaNE色LEDが形成できれば、白色LEDの価格をjきく下げることができる。これはLED照を普及させる点で極めて_要な要素になる。ただ、世c中のGaN-on-Si開発争が実ればLEDの低価格化は須となり、l田合成は低コスト\術で出れることになる。むしろ、LEDの低コスト化もテーマにしてl田合成がWくてもW益の出るLEDを開発する気、世c的にコスト争がくだろう。

x場経済の社会では、研|開発する組Eよりも、業してビジネスとしてお金をvしていく気争は高くなるはず。世cが々業するなら日本も業する気愀eっていくべきではないだろうか。例えば、パワーHEMTを開発するTransphorm社は、シリーズD@金調達としてVCのQuantum Strategic Partners社から2500万ドルを調達したと、6月23日のニュースリリースで述べている。2011Q2月に設立された同社は、これまで出@してきた~@なVCであるKleiner Perkins社やGoogle Ventures社、Foundation Capitals社、Lux Capital社の分も合わせると合6300万ドルになる。同社は社長(CEO)をはじめ、業c経x20Q以屬離戰謄薀鵑離┘鵐献縫△鯊靴─∪功させる確率を高めている。

日本では新しいテーマがあると官cの共同組合やコンソシアムを作ることが優先され、ビジネスを進めていく妓には行かない。ここがL外とjきく違う点だ。官cコンソシアムを否定するlではないが、これまでうまくいかなかった反省をrり込み、成功させるための仕Xけを作ることが先ではないか。デバイスを使う顧客(エンジニア)とBをしたこともない研|vに出口を求めても無Gなことは言うまでもない。

だからこそ、例えば、雇の創出を考えたスピンオフを任靴燭蝓業をめたり、O立して@金をvせる仕組みを作ることが税金を国cに恩気気擦桔,砲覆襦iL外のR&D組EであるSEMATECHやIMECは何社を業させ、何h人の雇を擇鵑澄△箸いΔ海箸O慢する。湾の工業\術院(ITRI)でさえもTSMCやUMCを業させた。日本はいつまでも税金に頼る桔,任呂覆O的に@金をvせる桔,悗々圓靴覆じ造蝓争はかない。10Q以i、半導の国家プロジェクトを始める時の記v会見で当vたちに、これでどうして争がくのですか、と問したら}厳しい問をしますね、と言ったきり、確なv答はuられなかった。

半導研|の場合、応という出口をyが関は求めるが、企業の研|vにこれを求めるのは無理だ。顧客の元にヒアリングに行ったことがないからだ。k般的に言われているt望や、l筆ナメナメのx場調h会社の予RをWすることしかできない。出口を求めるのではなく、雇を擇濬个校伝箸澆鮑遒襪戮である。盜颪離轡螢灰鵐丱譟爾ら々、GaN-on-Siのベンチャーが擇泙譴討て、争のあるを擇濬个校伝箸澆鮑や、欧Δ箟儿颪真瑤圭个靴討い襦q湾やシンガポールはずっと以iから真瑤靴討た。日本は「日本的ではない」とか何とかの理yをけて、これまではやってこなかった。いつまでもこのままで良いのだろうか。失われた10Qがいつの間にか20Qになり、このまま行くと30Q、40Qになってそのままk人沈んでいく。

業するための仕Xけとして、VCとの出会いの場とベンチャー企業とのミーティングがまず要。次に日本のVCには\術の`WきがいないためVCコンソシアムのようなグループを作り`Wきを共~するとか`Wきをすることも要だろう。ベンチャー企業に瓦靴討мqの}を差しPべることが要だろう。例えば、経営に不Wな業家はベンチャーキャピタルからもD締役として経営陣に加わってもらえばよいだろうし、CEOとして外陲ら半導経営のベテランを}び寄せる}もある。四半期ごとの財をきちんと管理し、W益の出る構]と仕組み作りを}伝ってもらえばよい。また戦SにもベテランのLを借りるとよい。成功させるためのさまざまなやり気ある。

参考@料
1. GaN-on-Siのベンチャー出、白色LED・パワーHEMTを狙いVCも発に投@ (2011/08/17)

(2011/09/06)
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