iPadやギャラクシータブなどのメディアタブレットをはじめ、iPhoneやアンドロイドベースのスマートフォン。表内容の表現をlかにするのがストレージデバイスです。次世代の携帯機_はオーディオやビデオ、それもフルHDビデオのコンテンツも蓄えられるほど科な容量がのります。j(lu┛)本命のNANDフラッシュとHDD、さらにはReRAMやスピントロニクスMRAM、などの新型メモリーも気になります。ストレージデバイスの貌をお伝えすることが本セミナーの`的です。
本フォーラムでは、NANDフラッシュを国内で唯k攵する東のシニアエンジニア2@の(sh┫)がプロセス、実△領Cから解説します。また、x場動向、HDDの高密度化、スピントロニクスのW(w┌ng)により高集積化が可ΔMRAM、さらに最ZR`を集めているReRAM、そしてNEDOのWくロードマップについておBをいただきます。\術の可性と、新たに開けてきたアプリケーションによって新たな半導のx場が見えてきます。(j┤ng)来性のあるおBしをQ分野のエンジニアの(sh┫)々から直接お聞きすることができるQ_な機会です。
S様のご参加を心よりお待ちしております。



■プログラム

(プログラムは変(g┛u)になる場合があります)
2011Q3月22日()
10:00 次世代携帯機_をけん引するストレージデバイス
株式会社セミコンダクタポータル 集長 氾跳二
10:15 「NANDストレージ形の動向と実◆
 株式会社東 セミコンダクター社 メモリー業陬侫薀奪轡紂Εード\術陝 周
講演要:
フラッシュメモリストレージはアプリケーションに分けると、カード、eMMC、SSDがT在します。それぞれの高容量、薄型要求に答えるには常にzな実\術が要になります。Qアプリケーションが今後どのような形となっていくのかを顧客要求項にあわせて解説し、Mつための戦Sポイントについて説します。
11:00 「j(lu┛)容量NANDフラッシュメモリの\術開発X況」
 株式会社東 セミコンダクター社 メモリー\師長 冨 `
講演要:
ますます微細化およびj(lu┛)容量化がすすんでいるNANDフラッシュメモリについて、最新の20nm世代の\術、次元積層構]メモリセルの開発X況を中心に発表します。
11:45 「HDDを中心とした今後のストレージデバイスx場のt望」
 株式会社テクノ・システム・リサーチ シニアディレクター [籠 敏夫
講演要:
1990Q代から2010Qまでのストレージx場を振り返りながら2011Q以Tの新たな時代でのストレージx場をt望します。ここでのキーファクターは、"Networking"、"Digitalization"、"Imaging"及び"Mobility"の膿覆反焚修砲△蠅泙后Eながら、こうした時代ではクラウドコンピューティングは無できません。 そこで、Q々のストレージはどのような役割を演じて、かつすみわけが出来るのか?およそ25ヶQ間HDDなどの\記憶のx場をみてきた立場から茲靴泙后
12:30 ランチブレーク
13:30 「HDDj(lu┛)容量化\術の最先端と(j┤ng)来t望」
 株式会社日立作所 研|開発本陝ー膣標|長 城石 F
講演要:
情報のデジタル化の]な進tと共に、收されるデジタル情報は指数関数的に\j(lu┛)し、2011Qには1.8×1021 Bに達すると見積もられています。このため、j(lu┛)容量ストレージの主役であるHDDの(g┛u)なる高密度化、j(lu┛)容量化が喫gの課となっています。本講演では、フラッシュメモリー\術などと竿罎靴覆ら、HDDにおける高密度化\術の最先端の研|開発X況と(j┤ng)来t望を説します。
14:15 「STT RAMによる不ァ発性メモリの低消J電システムへの新t開」
 東j(lu┛)学 学際科学国際高等研|センター 教b / 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター 副センター長 遠藤 哲r
講演要:
電子機_の性Δ鮑8紊箸盡屬気擦討いためには、ロジックが要求するメモリバンド幅の達成と、Qメモリ階層間のスピードギャップの解消と、消J電の抑Uが咾求められています。 本講演では、峙点から、ZQの不ァ発性ワーキングメモリとしてR`されているスピントロニクスメモリの代表であるSTTRAMの現Xと本\術のインパクトをbじます。さらに、STTRAMを半導CMOSロジックと高次に融合させる不ァ発性ロジックを紹介し、(j┤ng)来の低消J電システムの菘世ら不ァ発性RAMのロジック\術へのS及効果をbじます。
15:00 コーヒーブレーク
15:15 「ReRAMチップの開発と見通し」
 独立行法人噞\術総合研|所 ナノ電子デバイス研|センター
 副研|センター長 主任研|^ 秋P 広m
講演要:
Resistance Random Access Memory (ReRAM あるいはRRAM) は、高]かつ低消J電動作を実現する新しいj(lu┛)容量不ァ発性メモリとしてR`を集め、極めて]にその研|開発が進められるようになってきました。単純なメモリセル構]であるばかりでなく、JTの半導プロセスとのD合性も高く、ビットコスト争においても優れたメモリになると考えられています。本講演では、ReRAM研|開発の経緯、最新動向から現Xにおける\術課などを説して頂きます。
16:00 「HDDの高密度化へのロードマップと今後の見通し」
 独立行法人新エネルギー・噞\術総合開発機構 電子・材料・ナノテクノロジー霙后|僉ゝ
講演要:
情報通信\術の向屐普及に伴い電子データ量は莫j(lu┛)に\えけており、このデータを蓄積するためのj(lu┛)模なストレージが須になっています。フラッシュメモリは携帯端の小型薄型化に伴い、]に普及拡j(lu┛)しています。しかし、今後予[される莫j(lu┛)なデータ蓄積をフラッシュメモリが担うことになるのでしょううか?NEDOでは、容量、コスト、使環境からHDDがj(lu┛)容量のデータ蓄積ストレージの主流になり、携帯性、高]性、低消J電性を求められるストレージはフラッシュやQ|個素子がその役割を担うと予Rしています。本講演ではフラッシュメモリの頭からHDDの(j┤ng)来気鰺襲Rし、HDDの開発ロードマップ及びNEDOのHDD開発プロジェクトについて紹介します。
16:45 の疑応答&@刺交換会

■参加申込

<参加J>

【早期割引】
〜3/10(v)まで
【通常】
3/11(金)以T
セミコンポータル会^ 23,000(税込) 25,000(税込)
k般 29,000(税込) 32,000(税込)

(峙価格にテキスト代を含みます)
※3月11日以Tのキャンセルはおpけできませんので、代理の(sh┫)のご出席をお願いします。


セミコンポータル パートナー会^ごd待について
  セミコンポータルのパートナー会^には、k定数のd待枠があります。
  それぞれセミコンポータルのX口の(sh┫)にご確認ください。
セミコンポータル 会^価格について
  セミコンポータルの会^価格適には、オンライン登{時に、セミコンポータルのWebサイトにログインしていることが要となります。IDとパスワードをお確かめください。

まだ会^でない(sh┫)は、是この機会にセミコンポータル会^のご加入をご検討下さい。セミコンポータル会^になられると、www.589173.comのコンテンツやニュースがすべてOy(t┓ng)にご覧になることができ、また主たるZとして、SPIフォーラムへのd待枠(無料)参加もしくは20%OFF参加、エグゼクティブサマリーレポート配布などがあります。
会^の詳細・お申し込み(sh┫)法は、下記Webサイトをご覧ください。
http://www.589173.com/about/service.html

<募集人^>
80@

<お申込み(sh┫)法>
参加pは終了しました。


<オンライン登{期間>
2011Q2月15日()〜3月21日(月)
満^になり次、締め切らせて頂きます。


■会場・アクセス

主婦会館プラザエフ スイセン(8F) *会議室が変(g┛u)となりました
http://www.plaza-f.or.jp/room_index.html

地図

〒102-0085 東B都h代田区六番町15番地
TEL 03-3265-8111
・JR四ツ谷駅 麹町口i(P歩1分)
・地下鉄南線 / 丸の内線 四ツ谷駅(P歩3分)
交通、地図の詳細は下記URLをご参照下さい。
http://www.plaza-f.or.jp/access_index.html


■セミナー局

株式会社セミコンダクタポータル
〒107-0052 東B都港区迎Z2-17-22 迎Zツインタワー東館17F
TEL:   03-3560-3565
FAX:   03-3560-3566
e-mail: spiforum@semiconportal.com
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